[发明专利]对金属层表面粗糙化处理的方法、薄膜晶体管及制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：

在衬底基板上形成氧化物半导体层和源漏金属层；

在所述源漏金属层表面形成第一光刻胶层，并对所述第一光刻胶层进行高温处理，以增加所述第一光刻胶层与所述源漏金属层表面之间的附着力；

剥离所述第一光刻胶层，使所述源漏金属层表面粗糙化；

在经过粗糙处理后的源漏金属层之上形成第二光刻胶层；

对所述第二光刻胶层进行曝光显影，形成第二光刻胶完全保留区域、第二光刻胶完全去除区域和第二光刻胶半保留区域，所述第二光刻胶半保留区域与沟道区域相对应，所述第二光刻胶完全保留区域与即将形成的源漏电极的图案相对应；

对所述第二光刻胶完全去除区域所对应的源漏金属层和氧化物半导体层进行刻蚀，形成有源层的图形；

灰化所述第二光刻胶层，使所述第二光刻胶层的半保留区域去除；

对所述第二光刻胶半保留区域所对应的源漏金属层进行刻蚀，形成源漏电极的图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第一光刻胶层进行高温处理，包括：

对所述第一光刻胶层进行前烘、曝光显影以及后烘处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述后烘处理的温度为110°-150°。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，显影所述第二光刻胶层之后，且对所述源漏金属层进行刻蚀之前，该方法还包括：

对显影后的第二光刻胶层进行后烘处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，灰化所述第二光刻胶层之后，且对所述第二光刻胶半保留区域所对应的源漏金属层进行刻蚀之前，该方法还包括：

对灰化后的第二光刻胶层进行后烘处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二光刻胶完全去除区域所对应的源漏金属层和氧化物半导体层进行刻蚀时，采用的过蚀时间为刻蚀干净所述第二光刻胶完全去除区域所对应的源漏金属层和氧化物半导体层所用时长的5％-20％。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述第二光刻胶半保留区域所对应的源漏金属层进行刻蚀时，采用的过蚀时间为刻蚀干净所述第二光刻胶半保留区域所对应的源漏金属层所用时长0％-20％。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括采用权利要求1-7任一权项所述的薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求8所述的薄膜晶体管。