[发明专利]一种用于公路隧道快速检测的红外补光灯在审

专利信息
申请号: 201710071161.3 申请日: 2017-02-09
公开(公告)号: CN106813158A 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 朱爱玺;刘学增;朱合华 申请(专利权)人: 上海同岩土木工程科技股份有限公司
主分类号: F21S8/00 分类号: F21S8/00;F21V19/00;F21V29/50;F21V29/70;F21V31/00;G03B15/02;F21Y115/10
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司31225 代理人: 叶敏华
地址: 200092 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 公路 隧道 快速 检测 红外 补光灯
【说明书】:

技术领域

发明涉及汽车照明领域,尤其是涉及一种用于公路隧道快速检测的红外补光灯。

背景技术

汽车红外补光灯对于夜间行驶的汽车起着极为重要的作用,然而,红外补光灯除了用于夜间行驶的汽车外,对于在公路隧道进行快速检测也起着十分重要的作用。现有的红外相机,快门速度一般为1/4000s,在这种速度下,若想满足红外补光的要求,红外补光灯的辐射通量至少要是目前输出水平的4倍。现有的市面上的红外补光灯,多为了保证散热而采用单芯片进行照明,这种照明方式使得只能通过提升红外芯片的质量来提高照明强度,导致红外补光灯的输出通量大大受限,无法满足对照明强度的需求。

发明内容

本发明的目的是针对上述问题提供一种用于公路隧道快速检测的红外补光灯。

本发明的目的可以通过以下技术方案来实现:

一种用于公路隧道快速检测的红外补光灯,包括防水外壳和位于防水外壳内部的红外灯阵,所述红外灯阵包括铝基板和至少3个在铝基板上均匀排布的红外灯具,所述红外灯具包括大功率红外封装芯片和发光杯,所述大功率红外封装芯片和发光杯均位于铝基板上,所述大功率红外封装芯片位于发光杯内部。

所述大功率红外封装芯片包括至少9个封装为一体的红外芯片,所述红外芯片通过串联和并联形成正方形排布,所述红外芯片的底部电极与铝基板连接,所述红外芯片的上部电极通过打线的方式与铝基板连接。

所述红外芯片的峰值波长为865nm。

所述红外芯片的上部还覆盖有蓝宝石光学窗口。

所述红外芯片的底部电极与铝基板通过锡焊连接。

所述红外灯具在铝基板上的排布方式通过光环境仿真模拟确定。

所述铝基板为热阻值小于0.5的高导热铝基板。

所述铝基板下方还设有条形铝材散热器,所述条形铝材散热器通过螺栓与铝基板连接。

所述防水外壳包括玻璃盖板、堵头和弹簧垫圈,所述玻璃盖板位于发光杯上部,所述堵头分别与条形铝材散热器的两端连接,所述弹簧垫圈位于铝基板的螺栓孔上。

所述堵头与条形铝材散热器之间还设有密封垫。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:

(1)采用大功率红外封装芯片实现照明,与传统的单芯片照明相比,大功率和国内外封装芯片封装了至少9个呈正方形排布的红外芯片,无需提升红外芯片的质量即可实现大功率照明,便于实现且节省成本,实用性能强。

(2)红外芯片的峰值波长为865nm,可以避免出现730nm左右的光线来对驾驶员造成干扰。

(3)红外芯片之间通过串联和并联形成正方形排布,且电极直接与铝基板连接,无需填充硅胶,减少热损失的同时也增强了散热性能。

(4)红外芯片的上部还覆盖有蓝宝石光学窗口,增加散热的同时可以提高红外出光效率。

(5)红外芯片的底部电极与铝基板通过锡焊连接,大大降低了热阻,提升了芯片性能。

(6)红外灯具在铝基板上的排布方式通过光环境仿真模拟确定,使得红外补光灯的照射范围可以均匀的对隧道内部实现全覆盖,实现光照均匀度的最优化。

(7)铝基板采用热阻值小于0.5的高导热铝基板,满足局部大热流散热的需求。

(8)铝基板下方还设有条形铝材散热器,通过螺栓与铝基板连接,形成散热一体化,进一步提升了灯具的散热性能。

(9)通过玻璃盖板、堵头和弹簧垫圈组装成防水外壳,保证了灯具具有良好的防尘防水性能,不易损坏。

(10)堵头与条形铝材散热器之间还设有密封垫,进一步提高了灯具的防水性能。

附图说明

图1为本发明装置的整体结构示意图;

图2为单个灯具的横截面图;

其中,1为堵头,2为大功率红外封装芯片,3为发光杯,4为玻璃盖板,5为弹簧垫圈,6为密封垫,7为条形铝材散热器。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。本实施例以本发明技术方案为前提进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

如图1所示为本实施例中提供的一种用于公路隧道快速检测的红外补光灯,包括防水外壳和位于防水外壳内部的红外灯阵,红外灯阵包括铝基板和至少3个在铝基板上均匀排布的红外灯具(如图2所示),红外灯具包括大功率红外封装芯片2和发光杯3,大功率红外封装芯片2和发光杯3均位于铝基板上,大功率红外封装芯片2位于发光杯3内部。

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