[发明专利]三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料及其制备在审
申请号: | 201710070758.6 | 申请日: | 2017-02-09 |
公开(公告)号: | CN106847547A | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 蔡克峰;陈元勋 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01G11/48 | 分类号: | H01G11/48;H01G11/30;H01G11/86 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 管状 二硫化钼 吡咯 超级 电容器 复合 电极 材料 及其 制备 | ||
1.一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料,其特征在于,包括作为无机骨架的3D MoS2,以及与所述3D MoS2交联并构成网络结构的PPy纳米纤维。
2.根据权利要求1所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料,其特征在于,所述的3D MoS2的直径为400-500nm。
3.根据权利要求1所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料,其特征在于,3D MoS2与PPy的质量比为1:10-2:1。
4.如权利要求1-3任一所述的三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)取3D MoS2加入至溶剂中,并进行超声分散;
(2)再往步骤(1)的MoS2溶液中加入CTAB,搅拌形成均匀稳定的3D MoS2分散液;
(3)再将步骤(2)制得的3D MoS2分散液置于低温环境中,加入吡咯单体,搅拌;
(4)继续往步骤(3)的溶液中滴入过硫酸铵溶液,反应,分离、洗涤、干燥,即得到目的产物3D MoS2/PPy超级电容器复合材料。
5.根据权利要求4所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的3D MoS2通过以下方法制成:
取S粉和钼酸铵加入至正辛胺和无水乙醇的混合溶剂中,搅拌均匀,转移至反应釜内,加热反应,冷却,分离,洗涤,干燥,即得到3D MoS2。
6.根据权利要求5所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,S粉、钼酸铵、正辛胺和无水乙醇的加入量之比为1g:(2-3)g:(0.15-0.2)L:(0.15-0.2)L;
加热反应的工艺条件为:在180-220℃下反应18-36h。
7.根据权利要求4所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)3D MoS2的浓度为0.05-0.3g/60mL;
所述的溶剂为酸与无水乙醇混合溶剂,其中,两者的体积比为1:1,酸为草酸或盐酸。
8.根据权利要求4所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中CTAB的浓度为0.06-0.15M。
9.根据权利要求4所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所述的低温环境的温度为0-5℃;
步骤(3)中3D MoS2与吡咯单体的质量比为1:10-2:1。
10.根据权利要求4所述的一种三维管状二硫化钼/聚吡咯超级电容器复合电极材料的制备方法,其特征在于,步骤(4)中滴入的过硫酸铵与吡咯单体的摩尔比为1:1,反应时间为18-36h。
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