[发明专利]抗硫化的晶片电阻及其制法

权利要求书

1.一种抗硫化的晶片电阻，其特征在于，包含：

一基板，其顶面包含两外侧区域与位于该两外侧区域之间的一中间区域；

两上电极层，分别设置于该基板的该两外侧区域，各该上电极层的顶面包含一电阻迭接区域与一非电阻迭接区域；

一电阻层，设置于该基板的该中间区域，且该电阻层的两端部分别迭接于该两上电极层的电阻迭接区域；

一第一保护层，局部覆盖该电阻层，使该电阻层的该两端部分别外露于该第一保护层；

两抗硫化构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，各该抗硫化构件设置于对应的该上电极层的非电阻迭接区域、该电阻层外露于该第一保护层的端部以及该第一保护层的顶面；

一第二保护层，覆盖该两抗硫化构件与该第一保护层的表面，该第二保护层的边界位于该两上电极层的非电阻迭接区域上方，各该抗硫化构件与该第二保护层的连接界面形成一阶梯状界面，该阶梯状界面位于该第二保护层的覆盖范围内，该阶梯状界面具有多数转折处；以及

两端电极构件，分别对应于该基板的该两外侧区域，且分别电性连接该两上电阻层。

2.根据权利要求1所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件为一复合层构件，包含一抗硫化层与形成在该抗硫化层顶部的一氧化层，且该氧化层系金属氧化层。

3.根据权利要求1所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件为单一层的氮化物层。

4.根据权利要求3所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件为选自金属氮化物层及合金氮化物层当中的一种氮化物层。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件的一端与各该上电极层的外侧边缘齐平。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件的一端与该上电极层的外侧边缘之间具有一间隔，使各该上电极层外露于该间隔。

7.根据权利要求5所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该端电极构件包含多数导体层，以覆盖各该抗硫化构件外露于该第二保护层的表面、各该抗硫化构件的端面、各该上电极层的端面与各该基板的端面。

8.根据权利要求6所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该端电极构件包含多数导体层，以覆盖各该抗硫化构件外露于该第二保护层的表面、各该上电极层外露于该间隔的表面、各该上电极层的端面与该基板的端面。

9.根据权利要求7所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该端电极构件包含一辅助导体层，该辅助导体层形成于各该抗硫化构件外露于该第二保护层的部位以及该第二保护层的侧面，该辅助导体层的末端与该抗硫化构件的外侧边缘之间形成一区间；各该端电极构件的该导体层进一步形成于该抗硫化构件外露于该区间的表面。

10.根据权利要求1至4中任意一项所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，该第一保护层覆盖该电阻层的50％以上及95％以下的面积。

11.根据权利要求1至4中任意一项所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，该两抗硫化构件覆盖该第一保护层的5％以上及50％以下的面积。

12.根据权利要求6所述的抗硫化的晶片电阻，其特征在于，各该抗硫化构件覆盖各该上电极层的非电阻迭接区域的50％以上及95％以下的面积。