[发明专利]线性稳压器有效
申请号: | 201710068638.2 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN106647914B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 邵博闻 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线性 稳压器 | ||
1.一种线性稳压器,其特征在于,包括:误差放大器,电压调整器件和反馈网络;
所述误差放大器包括放大器本体、尾电流源和有源负载;
所述放大器本体为差分结构且包括第一个差分电路和第二个差分电路,所述第一个差分电路的源端和所述第二个差分电路的源端都连接所述尾电流源,所述有源负载包括互为镜像的第一差分有源负载和第二差分有源负载,所述第一差分有源负载连接所述第一个差分电路的负载端,所述第二差分有源负载连接所述第二个差分电路的负载端;所述第一个差分电路的输入端连接参考电压,所述第二差分电路的输入端连接所述反馈网络输出的反馈电压;所述第二个差分电路的负载端还作为输出端输出第一控制信号到所述电压调整器件的控制端;
线性稳压器还包括用于加速线性稳压器启动的加速启动电路,所述加速启动电路包括第一部分电路、第二部分电路和第一开关;
所述第一部分电路为所述第一差分有源负载的镜像电路,所述第二部分电路为所述尾电流源的镜像电路,所述第一部分电路和所述第二部分电路相连接并组成电流比较器,所述电流比较器的输出端连接到所述第一开关的控制端;
所述尾电流源的电流大小为所述第一差分有源负载的电流和所述第二差分有源负载的电流的和;所述线性稳压器稳定时,所述第一差分有源负载的电流和所述第二差分有源负载的电流相等;
所述线性稳压器启动过程中,所述第一差分有源负载的电流大于所述第二差分有源负载的电流,且所述第一差分有源负载的电流从等于所述尾电流源的电流的大小逐渐降低为稳定时的值,所述第一部分电路的电流变化方式和所述第一差分有源负载的电流变化方式一致,所述第二部分电路的电流保持不变且所述第二部分电路的电流大小设置为启动过程中所述第一部分电路的电流的最大值和最小值的中间值,使得启动开始阶段所述第二部分电路的电流小于所述第一部分电路的电流从而使所述电流比较器输出第一电压值;在启动结束后所述第二部分电路的电流大于所述第一部分电路的电流从而使所述电流比较器输出第二电压值;
所述第一开关连接在电源电压和所述第一控制信号之间,当所述电流比较器输出所述第一电压值时,所述第一开关导通使所述第一控制信号连接所述电源电压从而使所述第一控制信号快速上升从而加速所述线性稳压器启动;当所述电流比较器输出所述第二电压值时,所述第一开关断开,从而使所述加速启动电路不对所述线性稳压器的输出产生影响。
2.如权利要求1所述的线性稳压器,其特征在于:所述第一个差分电路和所述第二个差分电路都为共源共栅放大电路。
3.如权利要求2所述的线性稳压器,其特征在于:所述第一个差分电路包括第一NMOS管和第二NMOS管,所述放大器本体的第二个差分电路包括第三NMOS管和第四NMOS管;
所述第一NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极连接在一起作为所述放大器本体的两个差分电路的源端;
所述第一NMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的源极,所述第二NMOS管的漏极作为所述第一个差分电路的负载端;
所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极,所述第四NMOS管的漏极作为所述第二个差分电路的负载端以及作为所述放大器本体的输出端;
所述第一NMOS管的栅极作为所述第一个差分电路的输入端;
所述第三NMOS管的栅极作为所述第二个差分电路的输入端;
所述第二NMOS管的栅极连接所述第四NMOS管的栅极都接第二偏置电压。
4.如权利要求3所述的线性稳压器,其特征在于:所述第一差分有源负载包括第一PMOS管和第二PMOS管,所述第二差分有源负载包括第三PMOS管和第四PMOS管;
所述第一PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极都接电源电压;
所述第一PMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的源极,所述第三PMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的源极;
所述第一PMOS管的栅极、所述第三PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极都连接所述第二NMOS管的漏极;
所述第四PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的漏极;
所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极都连接第三偏置电压。
5.如权利要求3或4所述的线性稳压器,其特征在于:所述尾电流源包括第五NMOS管,所述第五NMOS管的源极接地,所述第五NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极,所述第五NMOS管的栅极连接第一偏置电压。
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