[发明专利]一种侧蚀小的铜蚀刻液

说明书

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种侧蚀小的铜蚀刻液。

背景技术

蚀刻就是用化学方法按一定的深度除去不需要的金属。蚀刻技术被广泛用在装饰、电路板、精密加工和电子零件加工等领域。

蚀刻开始时，金属板表面被图形所保护，其余金属面均和蚀刻液接触，此时蚀刻垂直向深度进行。当金属表面被蚀刻到一定深度后，裸露的两侧出现新的金属面，这时蚀刻液除向垂直方向还向两侧进行蚀刻。随着蚀刻深度的增加，两侧金属面的蚀刻的面积也在加大。侧蚀最后导致的结果是使凸面的图形(泛指阳图)线条或网点变细变小，凹图的线条或网点变粗变大，使图形变形或尺寸超差，严重时使产品报废。所以侧蚀是蚀刻中的大敌。

目前市场上大部分金属铜蚀刻液存在侧蚀较大、形成大量泡沫或稳定性较差等问题。

本发明就是为了提供一种新的铜蚀刻液来解决以上问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种侧蚀小的铜蚀刻液。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种侧蚀小的铜蚀刻液，其配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。

具体的，所述无机酸为盐酸、硝酸、硫酸、磷酸、高氯酸、次氯酸、高锰酸中的一种。

具体的，所述有机酸为冰醋酸、甲酸、草酸、柠檬酸、羟基乙酸、丁酸、丙二酸、戊酸、丙酸、酒石酸中的一种。

具体的，所述盐类为盐酸盐、硫酸盐或乙酸盐。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本发明铜蚀刻液蚀刻均匀，降低了侧蚀现象，而且不会形成泡沫，稳定性好。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

一种侧蚀小的铜蚀刻液，其配方包括：1-15wt％过氧化氢，1-25wt％无机酸，1-20wt％有机酸，1-30wt％盐类，0.5-2wt％表面活性剂以及余量的去离子水；表面活性剂为聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇甲醚、聚氧乙烯聚氧丙烯醚、聚氧乙烯聚氧丙烯烷基醚、四甲基癸炔二醇中的一种。

实施例1～10：

按照表1的配方配制铜蚀刻液。

表1：

注：表1内总配比不到100wt％的部分均为去离子水。

以现有市面上买到的以过氧化氢和无机酸为主要成分的铜蚀刻液作为对照例，同实施例1～10制得的铜蚀刻剂采用下部喷淋的方法分别对电路板蚀刻60s，然后清洗蚀刻面，对蚀刻面的厚度误差率、蚀刻量和侧蚀率进行测量，观察是否存在泡沫引起的表面不良，得到如下结果。

表2：