[发明专利]薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成有源层；

在形成有所述有源层的所述基板上形成栅极绝缘层；

对所述栅极绝缘层进行图形化，以形成垂直于所述基板的第一刻蚀槽及第二刻蚀槽；

在所述栅极绝缘层上形成金属层，且所述金属层覆盖所述第一刻蚀槽及所述第二刻蚀槽；

对所述金属层进行图形化，以形成栅极、第一电极及第二电极，所述第一电极位于所述第一刻蚀槽内，所述第二电极位于所述第二刻蚀槽内，所述第一电极及所述第二电极形成存储电容器；

在所述栅极绝缘层、所述栅极及所述存储电容器上形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层上形成源极及漏极，所述源极及所述漏极分别与所述有源层连接；

其中，在对所述栅极绝缘层进行图形化的步骤中，还包括在所述栅极绝缘层上与所述栅极对应的位置形成第三刻蚀槽，所述第三刻蚀槽与所述基板垂直，以使栅极在第三刻蚀槽内。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀槽、所述第二刻蚀槽及所述第三刻蚀槽的深度相同。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为1500nm～2000nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在形成有所述有源层的基板上形成栅极绝缘层，包括如下步骤：

在形成有所述有源层的基板上形成氧化硅层；

在所述氧化硅层上形成氮化硅层。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度小于所述氮化硅层的厚度。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀槽及所述第二刻蚀槽的深度等于氮化硅层的厚度。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一刻蚀槽与所述第二刻蚀槽之间的间距为100nm～400nm。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀对所述栅极绝缘层进行图形化。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在基板上形成有源层，包括如下步骤：

在所述基板上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行图形化，形成所述有源层。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，其采用权利要求1～9中任一所述的薄膜晶体管的制备方法制备。