[发明专利]一种选择性去除铵的离子筛及其制备方法在审
| 申请号： | 201710066417.1 | 申请日： | 2017-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108393061A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陈亦力;李锁定;李天玉;莫恒亮;杨志涛;孟晓冬 | 申请（专利权）人： | 北京碧水源膜科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J20/04 | 分类号： | B01J20/04;B01J20/30;C02F1/28;C02F101/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 101407 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子筛 选择性去除 钠离子 制备 氯化钠 晶体生长过程 锰系氧化物 程序升温 二氧化锰 改性处理 工业应用 晶格结构 晶型结构 控制材料 模板离子 无机材料 再生性能 吸附量 铵离子 晶格 锰系 水中 离子 再生 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种选择性去除铵的离子筛，其特征在于，所述离子筛具有以下特点：
所述离子筛为锰系2×2晶格结构；
所述离子筛为钠型铵离子筛，不需要用高浓度酸进行质子化预处理即可使用；所述离子筛对半径在范围内的离子有特异性选择，可选择性吸附水中铵离子；
所述离子筛采用1～5mol L-1氯化钠进行再生即可循环使用，不需要使用浓酸进行再生。
2.一种选择性去除铵的离子筛的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
含锰化合物与含钠化合物按照物质的量比为8:1～1:4混合研磨后，置于高温箱式炉中，升温至550～650℃，烧制时间3～24h，反应后用清水清洗至中性或弱碱性即可使用。
3.根据权利要求2所述的一种选择性去除铵离子的铵离子筛的制备方法，其特征在于，所述含钠化合物在离子筛制备过程中的充当离子模板，所述含锰化合物在离子筛制备过程中的作为骨架结构。
4.根据权利要求2所述的一种选择性去除铵离子的铵离子筛的制备方法，其特征在于，所述含锰化合物为醋酸锰、硫酸锰等二价锰盐中的任意一种。
5.根据权利要求2所述的一种选择性去除铵离子的铵离子筛的制备方法，其特征在于，所述含钠化合物为氢氧化钠、碳酸钠、碳酸氢钠、过氧化钠其中的任意一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京碧水源膜科技有限公司，未经北京碧水源膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710066417.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
