[发明专利]制造垂直存储器装置的方法有效
申请号: | 201710065305.4 | 申请日: | 2017-02-06 |
公开(公告)号: | CN107204341B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 金基元;金成勋;孙在翼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/11582 | 分类号: | H01L27/11582;H01L27/11556 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 垂直 存储器 装置 方法 | ||
提供一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状、多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将包括在垂直存储器装置的布局中的多个沟道孔划分为多种类型。识别连接到包括在布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型,以及基于针对每条位线确定的沟道孔的类型来确定多条位线的负载是否均衡。
本申请要求于2016年2月22日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0020706号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种存储器装置,更具体地,涉及一种验证垂直存储器装置的布局的方法。
背景技术
存储器装置用于存储数据,并被划分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。作为非易失性存储器装置的示例的闪存装置可以用在移动电话、数码照相机、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、台式计算机和其它装置中。最近,已经开发了垂直存储器装置以增大存储容量并实现非易失性存储器装置的小型化。垂直存储器装置包括垂直堆叠在基底上的多个存储器单元或多个存储器单元阵列。在其中形成有具有多孔结构的沟道孔的垂直存储器装置中,形成在沟道孔中的存储器单元的特性可以根据每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离而变化。
发明内容
根据公开的方面,提供一种验证垂直存储器装置的布局的方法,所述方法包括基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状、多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将包括在垂直存储器装置的布局中的多个沟道孔划分为多种类型。识别连接到包括在布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型,以及基于针对每条位线识别的沟道孔的类型对多条位线的负载是否均衡作出结论。
根据公开的另一方面,提供一种验证垂直存储器装置的布局的方法。方法包括测量在垂直存储器装置的布局中将多个沟道孔连接到多条位线中的每条位线的导电线的尺寸,以及基于针对每条位线测量的尺寸验证多条位线的负载是否均衡。
根据公开的另一方面,提供一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括:基于每个沟道孔和与其相邻的隔离区之间的距离、多个沟道孔在布局中的形状和所述多个沟道孔在布局中的坐标中的至少一个,将垂直存储器装置的布局中的所述多个沟道孔划分为多种类型;识别连接到布局中的多条位线中的每条位线的沟道孔的类型;基于针对每条位线识别的沟道孔的类型,验证所述多条位线的负载是否均衡;在验证到位线的负载均衡时,基于布局制造用于垂直存储器装置的蚀刻掩模;以及通过蚀刻已经应用了蚀刻掩模的多层器件来制造垂直存储器装置,其中,在所制造的垂直存储器装置内的位线的负载是均衡的。
根据公开的另一方面,提供一种制造垂直存储器装置的方法,所述方法包括:将垂直存储器装置的布局中的多个沟道孔连接到多条位线中的每条位线的导电线的尺寸进行测量;基于针对每条位线测量的导电线的尺寸,验证所述多条位线的负载是否均衡;在验证了位线的负载均衡时,基于布局制造用于垂直存储器装置的蚀刻掩模;以及通过蚀刻已经应用了蚀刻掩模的多层器件来制造垂直存储器装置,其中,在制造的垂直存储器装置内的位线的负载是均衡的。
根据公开的另一方面,提供一种制造垂直存储器装置的方法。方法包括基于垂直存储器装置的布局,针对多条位线中的每条位线确定由沟道孔和将沟道孔连接到所述每条位线的导电迹线呈现的负载。确定每条位线呈现的负载是否与位线中的其它的位线呈现的负载相等。在确定了位线的负载相等时,基于布局制造用于垂直存储器装置的蚀刻掩模。通过对已经应用了蚀刻掩模的多层器件进行蚀刻来制造垂直存储器装置。在所制造的垂直存储器装置内呈现到每条位线的负载与在所制造的垂直存储器装置内呈现到位线中的其它的位线的负载相等。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述,将更清楚地理解公开的实施例,在附图中:
图1是示出根据实施例的制造垂直存储器装置的方法的流程图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的