[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

在衬底的有源区上的栅线；

在所述栅线的两侧于所述有源区中的一对源/漏区域；

在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及

在所述栅线和所述接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物，

其中所述多层结构绝缘间隔物包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖所述氧化物层的邻近于所述栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖所述氧化物层的邻近于所述接触插塞的第二表面，所述第二表面与所述氧化物层的所述第一表面相反，以及

其中所述第一含碳绝缘层和所述第二含碳绝缘层具有不同的碳含量。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：在所述第一含碳绝缘层和所述氧化物层的所述第一表面之间的硅氮化物层。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一含碳绝缘层具有第一碳含量，以及所述第二含碳绝缘层具有大于所述第一碳含量的第二碳含量。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一含碳绝缘层具有选自5原子百分比到15原子百分比的范围的第一碳含量，以及

所述第二含碳绝缘层具有选自10原子百分比到25原子百分比的范围且大于所述第一碳含量的第二碳含量。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一含碳绝缘层和所述第二含碳绝缘层中的每个包括SiCN、SiOCN或其组合。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一含碳绝缘层包括具有第一碳含量的SiOCN层，以及

所述第二含碳绝缘层包括具有大于所述第一碳含量的第二碳含量的SiOCN层或SiCN层。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述多层结构绝缘间隔物还包括：

在所述氧化物层的所述第二表面和所述第二含碳绝缘层之间的硅氮化物层。

8.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

阻挡绝缘层，其覆盖所述栅线、所述氧化物层和所述第一含碳绝缘层并且围绕所述接触插塞。

9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二含碳绝缘层的宽度小于所述第一含碳绝缘层的宽度。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述氧化物层的在所述第二含碳绝缘层和所述第一含碳绝缘层之间的最窄部分的宽度小于所述第一含碳绝缘层的宽度。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

覆盖所述栅线的底表面和侧壁的栅绝缘层，

其中所述第一含碳绝缘层接触所述栅绝缘层。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二含碳绝缘层接触所述接触插塞。

13.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一含碳绝缘层沿所述栅线的长度方向在所述栅线的侧壁上直线延伸，以及

所述第二含碳绝缘层在所述至少一个源/漏区域上具有环形形状，所述环形形状围绕所述接触插塞的下部。

14.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第二含碳绝缘层的底表面的宽度小于所述第二含碳绝缘层的中间部分的最大宽度，所述第二含碳绝缘层的所述底表面是所述第二含碳绝缘层的最靠近所述衬底的部分。

15.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

在所述氧化物层和所述第二含碳绝缘层之间的硅氮化物层，所述硅氮化物层具有围绕所述接触插塞的下部的环形形状。