[发明专利]具有外质装置区无沟槽隔离的双极性接面晶体管

权利要求书

1.一种使用衬底形成的装置结构，该装置结构包含：

位在该衬底中的一或多个沟槽隔离区，该一或多个沟槽隔离区围绕装置区，该装置区具有一部分；

位在该装置区上的基极层，该基极层包含本质基极及在该装置区的该部分上的外质基极，并且该外质基极相较于该本质基极具有较高的导电性；

延展至在该装置区的该部分上的该外质基极的一区段的多个接触部；以及

位在该基极层上呈相隔关系的第一发射极指及第二发射极指，

其中，该本质基极具有该第一发射极指下方的第一区段及该第二发射极指下方的第二区段，该外质基极的该区段横向位于该本质基极的该第一区段与该本质基极的该第二区段之间的该基极层中，该装置区的该部分及该外质基极的该区段位于该第一发射极指及该第二发射极指之间，且该装置区的该部分无介电材料。

2.如权利要求1所述的装置结构，其中，该外质基极直接位于该装置区的该部分上。

3.如权利要求1所述的装置结构，其中，该装置区的该部分无包含该介电材料的沟槽隔离区。

4.如权利要求1所述的装置结构，其中，该基极层具有均匀厚度。

5.如权利要求1所述的装置结构，其中，该第一发射极指是中段处理期间未接触的虚设发射极。

6.如权利要求1所述的装置结构，其中，该装置区的该部分位在介于该第一发射极指与该第二发射极指间的外质装置区中。

7.如权利要求1所述的装置结构，其中，位在该装置区的该部分上的该基极层完全由单晶半导体材料所构成。

8.如权利要求1所述的装置结构，其中，位在该装置区的该部分上的该基极层无小面也无多结晶半导体材料。

9.一种制造装置结构的方法，该方法包含：

形成位在衬底中的一或多个沟槽隔离区以围绕装置区；

形成位在该装置区上的基极层；

形成位在该基极层上呈相隔关系的第一发射极指及第二发射极指，

用电活性掺质布植该基极层自该第一发射极指延展至该第二发射极指的区段以界定外质基极的一区段；以及

形成延展至在该装置区的一部分上的该外质基极的该区段的多个接触部；

其中，该基极层进一步包括本质基极以及相较于该本质基极具有较高的导电性的该外质基极，该本质基极具有该第一发射极指下方的第一区段及该第二发射极指下方的第二区段，该外质基极的该区段横向位于该本质基极的该第一区段与该本质基极的该第二区段之间的该基极层中，该装置区的该部分及该外质基极的该区段位于该第一发射极指及该第二发射极指之间，且该装置区的该部分无介电材料。

10.如权利要求9所述的方法，其中，该外质基极直接形成在该装置区的该部分上。

11.如权利要求9所述的方法，其中，该装置区的该部分无包含该介电材料的沟槽隔离区。

12.如权利要求9所述的方法，其中，该基极层具有均匀厚度。

13.如权利要求9所述的方法，其中，该第一发射极指是中段处理期间未接触的虚设发射极。

14.如权利要求9所述的方法，其中，该装置区的该部分介于该第一发射极指与该第二发射极指间的外质装置区。

15.如权利要求9所述的方法，其中，位在该装置区的该部分上的该基极层完全由单晶半导体材料所构成。

16.如权利要求9所述的方法，其中，位在该装置区的该部分上的该基极层无小面也无多结晶半导体材料。