[发明专利]用于图案化非挥发性金属的室

权利要求书

1.一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：

处理室，其包括：

喷头，其用于将处理气体分配到所述处理室，

能移动的基座，其用于保持所述半导体衬底，所述能移动的基座能够定位在升高位置或降低位置，使得处于所述升高位置的所述能移动的基座形成所述能移动的基座与所述喷头之间的上部室区域以及在所述能移动的基座下方的下部室区域，以及

邻近所述喷头的区域，当所述基座移动到所述升高位置时，所述邻近所述喷头的区域能够与所述能移动的基座的边缘对准；

入口，其耦合到所述喷头，以用于将处理气体朝向所述喷头输送；

等离子体发生器，其用于点燃所述处理室中的等离子体；以及

控制器，其用于控制所述装置的操作，所述控制器包括机器可读指令，所述机器可读指令用于：

使所述能移动的基座移动到所述升高位置或降低位置；

当所述能移动的基座处于所述降低位置时，将所述等离子体引导至所述衬底上的非挥发性金属上，以在所述衬底上形成改性的非挥发性金属；以及

当所述能移动的基座处于所述升高位置时，将有机蒸气引入所述室，以蚀刻所述改性的非挥发性金属，

其中当所述能移动的基座处于所述升高位置时，在所述上部室区域和所述下部室区域之间形成压强差。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述能移动的基座处于所述升高位置时，所述能移动的基座的所述边缘与邻近所述喷头的所述区域之间的距离介于0.3mm和3mm之间。

3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述邻近所述喷头的所述区域相对于与所述喷头垂直的轴线倾斜45°。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述邻近所述喷头的所述区域是所述装置的侧壁的一部分。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，当所述基座处于所述升高位置时，所述喷头和所述上部室区域中的所述能移动的基座之间的距离介于1mm和2mm之间。

6.根据权利要求1所述的装置，其中所述能移动的基座包括所述基座的边缘附近的凸起区域。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述能移动的基座的所述边缘是倾斜的。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述能移动的基座的所述边缘垂直于所述能移动的基座的表面。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中当所述基座处于所述升高位置时，所述上部室区域和所述下部室区域之间的压强差介于50毫托和5托之间。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中当所述基座处于所述升高位置时所述上部室区域的压强能够比当所述基座处于所述降低位置时所述处理室的压强大2倍至10,000倍。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中，所述能移动的基座能够在所述降低位置和所述升高位置之间移动介于4英寸和6英寸之间的距离。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中所述入口包括用于以大于1000sccm的流速将有机蒸气输送到所述处理室的入口。

13.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中所述入口包括用于将含氯或含氧处理气体输送到所述喷头以产生等离子体的入口。

14.根据权利要求1-8中任一项所述的装置，其中所述能移动的基座的厚度介于50mm和100mm之间。

15.根据权利要求6所述的装置，其中，所述喷头平面的表面与所述凸起区域的上表面之间的距离介于0mm和1mm之间。