[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

包括第一区域和第二区域的基板；以及

分别形成在所述第一区域和所述第二区域中的第一晶体管和第二晶体管，

其中所述第一晶体管包括在所述基板上的第一栅绝缘层、在所述第一栅绝缘层上以与所述第一栅绝缘层接触的第一下导电层、在所述第一下导电层上的第一蚀刻停止层以及在所述第一蚀刻停止层上的第一上栅电极，以及

所述第二晶体管包括在所述基板上的第二栅绝缘层、在所述第二栅绝缘层上以与所述第二栅绝缘层接触的第二下导电层、在所述第二下导电层上的第二蚀刻停止层以及在所述第二蚀刻停止层上的第二上栅电极，

其中所述第一下导电层的厚度小于所述第二下导电层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个是n沟道金属氧化物半导体，以及

其中所述第一晶体管的阈值电压小于所述第二晶体管的阈值电压。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一上栅电极包括形成在所述第一蚀刻停止层上以与所述第一蚀刻停止层接触的第一插入层以及形成在所述第一插入层上的第一填充层，以及

所述第二上栅电极包括形成在所述第二蚀刻停止层上以与所述第二蚀刻停止层接触的第二插入层以及形成在所述第二插入层上的第二填充层，

其中所述第一插入层和所述第二插入层包括相同的材料。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一上栅电极包含形成在所述第一蚀刻停止层上以与所述第一蚀刻停止层接触的第一功函数控制层、形成在所述第一功函数控制层上的第一插入层以及形成在所述第一插入层上的第一填充层，以及

所述第二上栅电极包含形成在所述第二蚀刻停止层上以与所述第二蚀刻停止层接触的第二功函数控制层、形成在所述第二功函数控制层上的第二插入层以及形成在所述第二插入层上的第二填充层，

其中所述第一功函数控制层和所述第二功函数控制层包括相同的材料，并且所述第一插入层和所述第二插入层包括相同的材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个是p沟道金属氧化物半导体，

其中所述第一晶体管的阈值电压大于所述第二晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一上栅电极包括形成在所述第一蚀刻停止层上以与所述第一蚀刻停止层接触的第一功函数控制层、形成在所述第一功函数控制层上的第一插入层以及形成在所述第一插入层上的第一填充层，以及

所述第二上栅电极包含形成在所述第二蚀刻停止层上以与所述第二蚀刻停止层接触的第二功函数控制层、形成在所述第二功函数控制层上的第二插入层以及形成在所述第二插入层上的第二填充层，

其中所述第一功函数控制层和所述第二功函数控制层包括相同的材料，以及所述第一插入层和所述第二插入层包括相同的材料。