[发明专利]可耐受静电放电事件的高压半导体元件

权利要求书

1.一种高压半导体元件，可耐受静电放电事件，包含有：

高压开关元件，为耗尽型结型场效应晶体管，该高压开关元件包含有：

重掺杂漏区，形成于一半导体基底上，该半导体基底为一第一型，该重掺杂漏区为与该第一型相反的一第二型；

重掺杂源区，为该第二型，部分地围绕该重掺杂漏区，该重掺杂源区具有一第一弯曲(arch)部，该第一弯曲部凹向一第一方向；以及

控制极，可控制该重掺杂漏区与该重掺杂源区之间的电连接；

静电放电防护元件，包含有：

第一重掺杂区，为该第一型，形成于该半导体基底上；以及

第二重掺杂区，为该第一型，部分地围绕该第一重掺杂区，具有第二弯曲部，凹向一第二方向；

其中，该第一方向相反于该第二方向。

2.如权利要求1所述的该高压半导体元件，另包含有一第一阱区(well region)，为该第二型，设于该半导体基底，该重掺杂漏区与该第一重掺杂区均位于该第一阱区内。

3.如权利要求2所述的该高压半导体元件，另包含有一飘移区，为该第二型，其中，该飘移区环绕该第一阱区，且该重掺杂源区位于该飘移区内。

4.如权利要求1所述的该高压半导体元件，其中，该第一重掺杂区与该重掺杂漏区共同电连接到一接合垫(pad)。

5.如权利要求1所述的该高压半导体元件，其中，该静电放电防护元件包含有一双极性晶体管，且该第一与该第二重掺杂区为该双极性晶体管的一射极与一集极。

6.如权利要求1所述的该高压半导体元件，其中，该静电放电防护元件包含有硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)，且该第一重掺杂区为该硅控整流器的一阳极，该第二重掺杂区为该硅控整流器的一阴极。

7.如权利要求1所述的该高压半导体元件，其中，该高压开关元件另包含有第三重掺杂区，为该第一型，包覆该重掺杂源区的一外侧。

8.一种高压半导体元件，可耐受静电放电事件，包含有：

高压开关元件，为耗尽型结型场效应晶体管，该高压开关元件包含有：

重掺杂漏区，形成于一半导体基底中，该半导体基底为一第一型，该重掺杂漏区为与该第一型相反的一第二型；以及

数个第一条状掺杂区，以一跑道图案设置，部分地围绕该重掺杂漏区，该数个第一条状掺杂区中的一个作为该耗尽型结型场效应晶体管的源极；以及

静电放电防护元件，形成于该半导体基底上，该静电放电防护元件包含有：

第一重掺杂区，为该第一型，形成于该半导体基底中，邻接于该重掺杂漏区；以及

数个第二条状掺杂区，以另一跑道图案设置，部分地围绕该第一重掺杂区；

其中，该第一重掺杂区与该重掺杂漏区一同电连接至一接合垫。

9.如权利要求8所述的该高压半导体元件，其中，至少该多个第一条状掺杂区其中之一具有第一弯曲部，其凹向一第一方向，至少该多个第二条状掺杂区其中之一具有一第二弯曲部，其凹向一第二方向，且该该第一方向与该第二方向相反。