[发明专利]导电高分子组合物溶液以及其抗静电膜与平面显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种导电高分子组合物溶液，以及其抗静电模与平面显示器，尤其涉及一种能具有良好流平性的导电高分子组合物溶液，并且其抗静电膜能具有良好的硬度与适用于电子显示器的表面电阻值。

背景技术

近年来各类型显示器广泛被使用，例如，等离子平面显示器、有机电致发光平面显示器、液晶平面显示器等，而为了预防静电电荷的累积造成人们使用上的不便，或影响元件效能。已知有在使用作为导电薄膜的材料例如铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)，被广泛使用在平面显示器、太阳能电池及触控面板等产品中。但除了价格昂贵及材料来源日益匮乏外，由于触控面板在使用的过程中需要经常性对ITO膜施予压力或使其弯曲，造成ITO膜的老化，甚至产生裂痕。另外，在一般情况下，ITO材料的电阻值至高只能达到10³Ω/m²，若要达到所需的静电放电效果，除了制程上的厚度必需严格控制，同时导致元件须提供较大电压，造成电力损耗。因此，有需要提供一种新的材料取代现有的ITO膜。

导电高分子因具有优良的静电性、耐久不易变质、无粒子粉尘产生，以及优良的热稳定性与抗水解性等特点，是为受到欢迎的导电聚合物之一。并且其不同于ITO材料，其价格便宜且耐弯曲，可以改善现有使用ITO易脆及价格昂贵的缺点，因此业界已开始尝试将抗静电薄膜材料应用于相关产品。

但由于导电高分子本身的物理与化学特性，要形成具有高光学透明度、符合产品需求的抗静电薄膜并不容易。例如导电高分子一般并非透明无色，加上与有机溶剂类聚合物、单体等不易均匀混合，造成了合成、制程与应用上的困难。

发明内容

本发明提供一种导电高分子组合物溶液，包含：(A)导电高分子，占所述导电高分子组合物溶液的重量百分范围介于0.01-0.1wt％之间，包含：Π共轭体系导电性高分子；以及具有多价阴离子的高分子，其中所述具有多价阴离子的高分子掺杂于所述Π共轭体系导电性高分子中；(B)烷氧基硅烷，占所述导电高分子组合物溶液的重量百分范围介于1-5.5wt％之间；以及(C)溶剂，包含：沸点介于55℃-120℃之间的低沸点溶剂；沸点介于170℃-250℃之间且与水互溶的高沸点溶剂；以及水。

在本发明的较佳技术方案中，所述导电高分子组合物溶液的粘度介于3-5cp之间。

在本发明的较佳技术方案中，所述导电高分子为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚苯乙烯磺酸酯，并且所述烷氧基硅烷与所述导电高分子的比值范围介于35-100之间。

在本发明的较佳技术方案中，所述低沸点溶剂占所述溶剂的55-81wt％，所述高沸点溶剂占所述溶剂的1-15wt％，且所述水占所述溶剂的10-30wt％。

在本发明的较佳技术方案中，所述导电高分子组合物溶液，还包含：流平剂，占所述导电高分子组合物溶液的0.01-1.0wt％。

在本发明的较佳技术方案中，所述流平剂选自含羟基聚酯改性硅氧烷类、丙烯酸酯共聚体、聚醚改性硅氧烷类流平剂、芳烷基烷基改性硅氧烷类中的任一者或其组合。

在本发明的较佳技术方案中，所述烷氧基硅烷选自四甲氧基硅烷、四乙基硅氧烷、四乙基氧硅烷、原硅酸四乙酯或硅酸乙酯中的任一者或任意组合。

在本发明的较佳技术方案中，所述低沸点溶剂选自异丙醇(简称IPA)、乙醇以及酮类中的任一者或任意组合。

在本发明的较佳技术方案中，所述高沸点溶剂选自乙二醇、高碳数醇类、N-甲基吡咯酮以及二甲基亚砜中的任一者或其组合。

本发明同时提供一种抗静电膜，所述导电高分子组合物溶液经涂布与干燥制程形成。

本发明同时提供一种抗静电膜，所述干燥制程是于80℃-150℃下烘烤3-30分钟。

在本发明的较佳技术方案中，所述抗静电膜具有5H以上的硬度。

在本发明的较佳技术方案中，所述抗静电膜的表面电阻值介于10⁶-10¹²之间。

在本发明的较佳技术方案中，所述抗静电膜的表面电阻值介于10⁸-10¹⁰之间。

本发明还提供一种平面显示器，包含所述抗静电膜。

在本发明的较佳技术方案中，所述平面显示器，还包含偏光板，直接覆盖所述抗静电膜。