[发明专利]一种线性稳压装置有效

专利信息
申请号: 201710060527.7 申请日: 2017-01-25
公开(公告)号: CN106647913B 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 王晗 申请(专利权)人: 武汉矽磊电子科技有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司11212 代理人: 杨立,陈璐
地址: 430000 湖北省武汉市东*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 线性 稳压 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及线性稳压器技术领域,尤其涉及一种线性稳压装置。

背景技术

传统的与电池电压相连接的电路或者模块往往具有两个基准参考电路,其中一个直接与电池输出电压相连,其主要用途是提供线性稳压源的参考电压。除此之外,该基准参考电路需要能够承受较高的电源电压以及较大的电压变化范围,因此输出电压的精度一般较低。另外一个基准参考电路的电源采用线性稳压源的输出电压,由于线性稳压源的输出电压相对比较稳定,该基准参考电路对电源电压的要求较为宽松,但往往需要提供较高的输出电压精度。第一个基准参考电路设计时,为了承受较高的电源电压,往往需要采用层叠晶体管的方法来减轻高电压对晶体管可靠性的要求;除此之外,由于基准参考电路往往采用带隙基准结构,因此一般会占用较大的面积;而在第二个基准参考电路设计时,虽然对耐压要求不高,但为了达到较好的性能,基准参考电路一般采用面积较大的二极管来实现高精度的基准电压输出,因此,设计两个不同要求的基准参考电路,不但大大增加了芯片面积和功耗,提高了成本,而且设计难度也随之增大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:现有的线性稳压装置芯片面积和功耗较大且成本较大。

本发明解决上述技术问题的技术方案如下:

一种线性稳压装置,包括:依次连接的电池、线性稳压器和基准电压源,以及与所述线性稳压器和所述基准电压源连接的简并态检测电路;所述线性稳压器用于给所述基准电压源提供电源,所述基准电压源用于给所述线性稳压器提供所需的参考电压源,所述简并态检测电路用于检测所述基准电压源的工作状态并根据所述工作状态控制所述线性稳压器的工作状态,所述基准电压源的工作状态包括简并态和正常态。

本发明的有益效果是:本技术方案中只有一个参考电压源,该参考电压源不但在线性稳压源工作时提供其所需要的参考电压,同时还提供一个高精度的基准电压输出给其它电路,减小了芯片面积和功耗,有效减小了两个基准电压源由于距离、朝向等非理想因素带来的工艺浮动和偏差,并进一步减小了该偏差导致其它电路性能下降的问题。

在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。

优选地,若所述简并态检测电路检测到所述基准电压源的输出电压为低电平,则所述基准电压源的工作状态为简并态,否则所述基准电压源的工作状态为正常态。

采用上述进一步方案的有益效果是:基准电压源在简并态时一般是低电平,正常态时一般为高电平,通过检测基准电压源的输出电压即可判断其当前的工作状态。

优选地,所述线性稳压器包括:第一放大器、第一晶体管、第二放大器和第二晶体管,所述第一晶体管的集电极和所述第二晶体管的集电极均与所述电池连接,所述第一晶体管的基极与所述第一放大器的输出端连接,所述第二晶体管的基极与所述第二放大器的输出端连接,所述第一晶体管的发射极和所述第二晶体管的发射极均与所述基准电压源的输入端连接,所述第一放大器的正输入端与所述第一晶体管的发射极连接,所述第一放大器的负输入端与所述基准电压源的输出端连接,所述第二放大器的正输入端与所述简并态检测电路连接。

采用上述进一步方案的有益效果是:线性稳压器包括两个放大器和两个晶体管,第一放大器在基准电压源为正常态时工作,简并态时关闭,第二放大器在基准电压源为正常态时关闭,简并态时工作。

优选地,当所述基准电压源的工作状态为简并态时,所述简并态检测电路控制所述第二放大器的输出极性翻转,并控制所述第二晶体管对所述基准电压源的输入端进行充电,所述基准电压源恢复正常态。

采用上述进一步方案的有益效果是:通过第二放大器控制第二晶体管的开闭,如果基准电压源的工作状态为简并态,则控制第二晶体管对基准电压源的输入端进行充电,直至变为高电平,则恢复正常态。

优选地,当所述基准电压源的工作状态为正常态时,所述简并态检测电路控制所述第二放大器关闭所述第二晶体管。

采用上述进一步方案的有益效果是:通过第二放大器控制第二晶体管的开闭,如果基准电压源的工作状态为简并态,则关闭第二晶体管,不让其工作,继续保持正常态。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉矽磊电子科技有限公司,未经武汉矽磊电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710060527.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top