[发明专利]半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于包含：

形成朝向一第一方向延伸的多个位线，各位线包含形成在两侧的一间隙壁，且该间隙壁包含三层结构；

形成朝向该第一方向延伸的多个导电图案，其中该些位线与该些导电图案在与该第一方向垂直的一第二方向上彼此交错排列；

形成一金属层，覆盖该些位线与该些导电图案；

移除一部分的该金属层，以在该金属层内形成多个开口，该些开口朝向该第二方向延伸且横跨该些位线与该些导电图案，且一部分的位线与其两侧的间隙壁自该些开口中暴露出；

移除自该些开口中暴露出的该三层结构中的一第二层，以在该三层结构中形成一空隙层；以及

在形成该空隙层后，移除另一部分的该金属层，以形成多个接触垫。

2.依据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该接触垫是呈一矩阵排列。

3.依据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，位于该些接触垫下方的该间隙壁的该第二层仍被保留。

4.依据权利要求3所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该空隙层包含多个片段，该些片段彼此分隔并沿着该第一方向设置。

5.依据权利要求4所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该空隙层的该些片段是被保留的该第二层分隔。

6.依据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，还包含：

在移除另一部分的该金属层之前，在该空隙层上形成一盖层。

7.依据权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，该空隙层是埋设在该间隙壁与该盖层之间。

8.依据权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其特征在于，还包含：

在该些接触垫形成后，进行一蚀刻制作工艺，图案化该些接触垫下方的导电图案，形成多个插塞。

9.一种半导体元件，其特征在于包含：

多个朝向一第一方向延伸的位线；

多个朝向该第一方向延伸的导电图案，该些位线与该些导电图案在与该第一方向垂直的一第二方向上彼此交错排列；

多个接触垫，设置在该些导电图案与该些位线上并排列成一矩阵；以及

间隙壁，设置在该些位线与该些导电图案之间并在垂直方向上位于该接触垫下方，其中该间隙壁包含三层结构，该三层结构包含一第一层、一第二层以及一第三层，该第二层包含多个空隙层，且该些空隙层彼此分隔地沿着该第一方向排列。

10.依据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，还包含：

盖层，设置在该空隙层上。

11.依据权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，该盖层包含与该第一层与该第三层相同的材质。

12.依据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该空隙层与该些接触垫在同一水平面上交错设置。

13.依据权利要求9所述的半导体元件，其特征在于，该第二层包含氧化硅。