[发明专利]用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构

权利要求书

1.一种用于芯片封装的电极，该电极包括：

第一基体材料，该第一基体材料的热膨胀系数范围为0-12×10^-6/℃；以及

第二基体材料，该第二基体材料为导电材料且该第二基体材料的热导率范围为60-600W/m﹒k；

其中该第一基体材料与该第二基体材料混合形成复合材料，或者该第一基体材料和该第二基体材料中的一者嵌设于另一者的一个或多个部位。

2.如权利要求1所述的电极，其特征在于该电极的第一表面露出该第一基体材料以及该第二基体材料。

3.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第一基体材料的至少一部分具有多孔连孔结构，该第二基体材料填充于该多孔连孔结构的孔中。

4.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第一基体材料设置有至少一个凹坑或通孔，该第二基体材料设置在该凹坑或通孔中。

5.如权利要求1所述的电极，其特征在于：该第二基体材料设置有至少一个凹坑或通孔，该第一基体材料设置在该凹坑或通孔中；或者第二基体材料的至少一部分具有多孔连孔结构，该第一基体材料填充于该多孔连孔结构的孔中。

6.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第一基体材料为金属材料或非金属材料。

7.如权利要求6所述的电极，其特征在于该金属材料为钼、钨、铁镍合金中的一种，或两种或两种以上形成的混合物。

8.如权利要求6所述的电极，其特征在于该非金属材料为石墨、三氧化二铝陶瓷、氮化铝、氧化铍、碳化硅的一种，或两种或两种以上形成的混合物。

9.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第二基体材料为铜、铝、银、金中的一种，或两种或两种以上形成的混合物，或为包括铜、铝、银、金中的一种或两种以上的复合材料。

10.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该电极还包括金属层，该金属层覆盖该第一基体材料的外表面的至少一部分。

11.如权利要求10所述的电极，其特征在于，该金属层的材料为铜、银、金、铝或镍。

12.一种芯片封装结构，包括：

芯片；以及

一个或多个与该芯片连接的如权利要求1-11任一项所述的电极，其中该第一基体材料和该第二基体材料通过焊料层或导电连接物与芯片连接。