[发明专利]用于芯片封装的电极以及使用该电极的芯片封装结构

权利要求书

1.一种用于芯片封装的电极，该电极包括基体，该基体的膨胀系数的范围为0-12×10^-6/℃并且该基体的材料为：

石墨、钨和金属化非导电材料中的一种；或

石墨、钨和非导电材料中的一种或一种以上与第一导电材料形成的复合材料。

2.如权利要求1所述的电极，其特征在于该第一导电材料为热导为60-600W/m﹒k的金属或金属复合材料。

3.如权利要求2所述的电极，其特征在于该第一导电材料为铜、铝或银，或者为含有铜、铝或银的合金。

4.如权利要求1所述的电极，其特征在于该非导电材料为AlN、BeO、Al₂O₃或SiC。

5.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该电极还包括覆盖该基体的外表面的至少一部分的金属层。

6.如权利要求5所述的电极，其特征在于该金属层的材料为铜、银、金、铂、钯、铝、钼、锰或镍中的一种或多种，或其中的一种或多种与其他材料形成的复合材料。

7.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该基体具有多孔连孔结构，该电极还包括填充于该基体中的孔中的第二导电材料。

8.如权利要求7所述的电极，其特征在于，该第二导电材料为热导为60-600W/m﹒k的金属或金属复合材料。

9.如权利要求8所述的电极，其特征在于，该第二导电材料为铜、铝、银、金中的一种，或两种或两种以上形成的混合物，或一种或两种以上与其他材料的复合材料。

10.如权利要求1所述的电极，其特征在于，该基体设置有一个或多个通孔，该电极还包括设置于该通孔中的导电柱。

11.如权利要求10所述的电极，其特征在于，该导电柱的材料为热导为60-600W/m﹒k的金属或金属复合材料。

12.如权利要求11所述的电极，其特征在于，该通孔的侧壁上设置有导电层。

13.一种芯片封装结构，包括：

芯片；以及

一个或多个与该芯片连接的如权利要求1-6任一项所述的电极，或者一个或多个与该芯片连接的如权利要求6-9任一项所述的电极，其中该基体和该第二材料均通过焊料层或导电连接物与该芯片连接，或者一个或多个与该芯片连接的如权利要求9-12任一项所述的电极，其中该基体和该导电柱均通过焊料层或导电连接物与该芯片连接。