[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括:提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有多个芯片区域以及位于所述芯片区域之间的预切割道区域；在所述半导体晶圆正面形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有若干纵横交叉的沟槽以及被所述沟槽围绕的钝化块，所述沟槽露出部分所述预切割道区域的半导体晶圆表面；在所述沟槽内形成若干阻挡结构，所述阻挡结构至少与相邻的两个所述钝化块连接；在所述钝化层上形成胶带；对所述半导体晶圆进行背面减薄；去除所述胶带。根据本发明提供的半导体器件的制作方法，通过在所述沟槽内形成若干阻挡结构，避免了后续背面减薄过程中硅粉末从沟槽侧面进入芯片中的问题，从而提高了半导体器件的良率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法。

背景技术

在半导体工艺后端，由于不同工艺需求，有时候需要将半导体晶圆进行减薄，即，进行背面减薄(backside grinding)将晶圆背面多余的基体材料去除一定的厚度使晶圆背面减薄到一定厚度。比如通常在集成电路封装前，要把2层或2层以上芯片堆叠在一起进行系统封装，而为了适应集成电路芯片封装的轻小化发展趋势，人们希望晶圆的厚度能够做到非常的薄(即制造超薄晶圆)，因此在晶圆切割前对晶圆进行减薄，比如将晶圆减薄到100um甚至100um以下。

在背面减薄过程中，除了常见的晶片破碎等风险外，还有磨后的硅粉末(Si-dust)进入芯片中的问题；而一旦硅粉末进入芯片中比较深的地方，后续的清洗很难完全清除掉，切割道内充满硅粉末，不仅影响外观，而且硅粉末落入到芯片区域的焊盘表面还会严重影响后续晶圆键合工艺的成功率，降低产量。

因此，有必要提出一种新的制作方法，以解决上述存在的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有多个芯片区域以及位于所述芯片区域之间的预切割道区域；

在所述半导体晶圆正面形成图形化的钝化层，所述图形化的钝化层具有若干纵横交叉的沟槽以及被所述沟槽围绕的钝化块，所述沟槽露出部分所述预切割道区域的半导体晶圆表面；

在所述沟槽内形成若干阻挡结构，所述阻挡结构至少与相邻的两个所述钝化块连接；

在所述钝化层上形成胶带；

对所述半导体晶圆进行背面减薄；

去除所述胶带。

进一步，所述阻挡结构与横向相邻的两个所述钝化块连接；和/或，

所述阻挡结构与纵向相邻的两个所述钝化块连接。

进一步，所述阻挡结构包括“X”型结构。

进一步，所述“X”型结构位于两个所述沟槽的交叉处，并与相邻的四个所述钝化块连接。

进一步，所述图形化的钝化层与阻挡结构同步形成，形成所述图形化的钝化层与阻挡结构的步骤包括：在所述半导体晶圆正面形成钝化层；蚀刻去除所述预切割道区域上方的大部分钝化层以形成露出部分所述半导体晶圆表面的沟槽，保留所述预切割道区域上方未刻蚀的钝化层以形成所述阻挡结构。

进一步，在形成所述沟槽之前还包括在所述芯片区域上方的钝化层中形成开口，以露出位于所述芯片区域表面的焊盘的步骤。

进一步，所述减薄包括对所述半导体晶圆进行背面研磨。

进一步，所述胶带包括UV胶带或热敏胶带。