[发明专利]多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基在审
申请号: | 201710058406.9 | 申请日: | 2017-01-23 |
公开(公告)号: | CN106718933A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 王雁;郑宝强 | 申请(专利权)人: | 中国林业科学研究院林业研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人: | 郑立明,赵镇勇 |
地址: | 100091 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多花类 兜兰 无菌 播种 速成 培养基 | ||
技术领域
本发明涉及一种花卉成苗的培养基,尤其涉及一种多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基。
背景技术
兜兰,又叫拖鞋兰、仙履兰等,由于其独特的花型、绚丽的花色、持久的花期而具有极高的观赏价值,是国际花卉市场上十分流行的高档花卉,具有较高的经济价值。但由于人们对兜兰野生资源的毁灭性采挖,兜兰现已成为世界上濒危的物种之一,所有野生种类均被列入《濒危野生动植物种国际贸易公约》(CITES)附录I而被禁止交易。
国际上对兜兰属植物的研究起步比较晚,相对于其他种类兰花,在无菌播种时,兜兰萌发比较困难,种间差异大,成苗差等问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
本发明的多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基,包括:
播种培养基:花宝1#2g/L+胰蛋白胨2g/L+蔗糖20g/L+琼脂5.8g/L,pH=6;
继代培养基:花宝1#2g/L+香蕉10g/L+土豆泥100g/L+蔗糖20g/L+活性炭1g/L+琼脂5.8g/L,pH=6;
壮苗培养基:花宝1#2g/L+胰蛋白胨2g/L+NAA0.1mg/L+6-BA0.2mg/L+香蕉10g/L+土豆泥100g/L+苹果汁20g/L+蔗糖20g/L+活性炭2g/L+琼脂5.8g/L,pH=6。
由上述本发明提供的技术方案可以看出,本发明实施例提供的多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基,通过无菌播种提高种子的萌发率,可以生产出大量观赏价值高的兜兰原种及杂交种满足市场需求,有利于降低兜兰的商品价格,从而加强对兜兰原生种的保护和可持续利用。包括多花亚属(Polyantha),旋瓣亚属(Cochlopetalum)的原种及其杂交种。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明的保护范围。
本发明的多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基,其较佳的具体实施方式是:
包括:
播种培养基:花宝1#2g/L+胰蛋白胨2g/L+蔗糖20g/L+琼脂5.8g/L,pH=6;
继代培养基:花宝1#2g/L+香蕉10g/L+土豆泥100g/L+蔗糖20g/L+活性炭1g/L+琼脂5.8g/L,pH=6;
壮苗培养基:花宝1#2g/L+胰蛋白胨2g/L+NAA0.1mg/L+6-BA0.2mg/L+香蕉10g/L+土豆泥100g/L+苹果汁20g/L+蔗糖20g/L+活性炭2g/L+琼脂5.8g/L,pH=6。
所述多花类兜兰包括多花亚属(Polyantha)、旋瓣亚属(Cochlopetalum)的原种及其杂交种。
所述多花类兜兰采取成熟果荚时期进行培育:果荚未开裂、果荚果柄部位开始变黄时最佳。
本发明的多花类兜兰无菌播种和快速成苗的培养基,通过无菌播种提高种子的萌发率,可以生产出大量观赏价值高的兜兰原种及杂交种满足市场需求,有利于降低兜兰的商品价格,从而加强对兜兰原生种的保护和可持续利用。包括多花亚属(Polyantha),旋瓣亚属(Cochlopetalum)的原种及其杂交种。
具体实施例:
(1)用于无菌播种的果荚以刚成熟但尚未开裂时效果较好,以果荚果柄部位开始变黄时为准。这时,蒴果内种子可相互分离,容易播种。未成熟的种子播种时都粘连在一起,不利于后期生长。另外未开裂的果荚灭菌容易,可只对果荚表皮灭菌;果荚开裂后,粉末状种子灭菌较为困难,且种子发芽力降低。果荚采收后宜即采即播,未来得及播时,可以用密封的塑料袋装好放入4℃的冰箱中保存,但时间不宜过久,否则易长霉或降低发芽率。
(2)无菌播种必须在超净工作台上进行,在操作前准备好所有的药剂和工具,保持超净工作台的无菌状态。
(3)将未开裂的荚果去除宿存花被、蕊柱、果柄,经自来水洗净后,置于10%次氯酸钠溶液中消毒20分钟,用75%的酒精表面消毒3分钟,直接在酒精灯上灼烧去除果荚表面酒精,这样就可以完成消毒。
(4)将果荚剖开,将种子均匀撒在播种培养基表面。保持温度25℃左右,暗培养。
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