[发明专利]III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法

权利要求书

1.一种III族氮化物基板，其具备具有正面和背面的III族氮化物的基材部，所述基材部的所述正面与所述背面的Mg浓度不同，其中，

所述基材部的正面是用于在其上使III族氮化物结晶生长的面，

所述基材部的正面的Mg浓度低于所述背面的Mg浓度。

2.如权利要求1的III族氮化物基板，其中，

所述基材部的正面为+C面，所述基材部的背面为-C面。

3.如权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，

所述基材部的正面的Mg浓度为5×10¹⁷原子/cm³以下，

所述基材部的背面的Mg浓度超过5×10¹⁷原子/cm³。

4.如权利要求3的III族氮化物基板，其中，

所述基材部的正面的Mg浓度为1×10¹⁷～2×10¹⁷原子/cm³，

所述基材部的背面的Mg浓度为8×10¹⁷～1×10¹⁸原子/cm³。

5.如权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，

所述基材部的厚度方向的中央的Mg浓度为4×10¹⁷～5×10¹⁷原子/cm³。

6.如权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，

所述基材部中的Mg浓度沿厚度方向缓缓变化。

7.如权利要求1所述的III族氮化物基板，其中，

在所述基材部的所述背面侧，设有包含通式RAMgO₄所表示的单晶体的RAMgO₄基板，通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素。

8.如权利要求7的III族氮化物基板，其中，

在所述基材部与所述RAMgO₄基板之间，包含多晶或非晶状的缓冲层。

9.如权利要求8的III族氮化物基板，其中，

在所述基材部与所述缓冲层之间，含有包含单晶的III族氮化物膜。

10.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：

准备包含通式RAMgO₄所表示的单晶体的RAMgO₄基板的工序，通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素；

使含有Mg的III族氮化物结晶在所述RAMgO₄基板上，按照III族氮化物结晶的正面侧即与RAMgO₄基板相反一侧的Mg浓度低于III族氮化物结晶的背面侧即RAMgO₄基板侧的Mg浓度的方式生长的工序。

11.如权利要求10的III族氮化物结晶的制造方法，其还包括在所述RAMgO₄基板上以第1温度形成缓冲层的工序，

使所述III族氮化物结晶生长的工序是在所述缓冲层上以高于所述第1温度的第2温度使III族氮化物生长的工序。

12.如权利要求10的III族氮化物结晶的制造方法，其中，

使所述III族氮化物结晶生长的工序是使用包含氮元素的熔融碱金属使III族氮化物结晶生长的工序。

13.如权利要求10的III族氮化物结晶的制造方法，其中，

使所述III族氮化物结晶生长的工序是使用包含氮元素的气体和包含III族化合物的气体进行生长的工序。