[发明专利]电磁传感器及其校准

权利要求书

1.一种用于监测金属靶的微观结构的系统，包括：

多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)，其用于输出磁场、检测合成磁场并响应于其来输出检测信号，其中由每个电磁传感器输出的励磁信号是多频波形；和

控制单元(600)，其被布置为从所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)接收所述检测信号，以对于所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)中的每个电磁传感器确定在形成所述多频波形的多个频率中的每个频率处的所输出的磁场和所述合成磁场之间的相位改变，基于所述相位改变确定所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)处的金属靶的微观结构发展速率，并且确定所述微观结构发展速率自预定的微观结构发展速率的偏离。

2.如权利要求1所述的系统，其中所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)被布置在所述金属靶的移动方向上。

3.如权利要求1或2所述的系统，其中所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)在所述金属靶的生产过程的冷却区被间隔开。

4.如权利要求1到2中的任一项所述的系统，其中所述控制单元(600)被布置为确定所述金属靶的微观结构演变。

5.如权利要求3所述的系统，其中所述控制单元(600)被布置为确定所述金属靶的微观结构演变。

6.一种生产过程，其包括如权利要求1到5中任一项所述的系统，其中所述控制单元被布置为输出指示所述金属靶的相位转变的信号，并且所述生产过程的一个或多个参数响应于其而被控制。

7.如权利要求6所述的生产过程，其中所述一个或多个参数是用于冷却所述金属靶的过程的参数。

8.一种监测金属靶的微观结构的方法，包括：

在多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)输出响应于多频波形产生的磁场；

检测在所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)处的合成磁场；

确定在形成所述多频波形的多个频率中的每个频率处所述合成磁场相对于所输出的磁场的相位响应；

基于所述相位响应确定在所述多个电磁传感器(420、430、440、450、551、552、553、554)中的每个电磁传感器处金属靶的微观结构发展速率，和

确定所述微观结构发展速率自预定的微观结构发展速率的偏离。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述微观结构还基于所述合成磁场相对于所输出的磁场的强度被确定。

10.如权利要求8或9所述的方法，包括确定所述金属靶的微观结构变化速率。

11.如权利要求8到9中的任一项所述的方法，包括响应于所确定的微观结构改变生产过程的一个或多个参数。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述一个或多个参数包括所述金属靶的冷却参数。