[发明专利]选择性背表面场的N型双面电池结构

权利要求书

1.一种选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：包括基体，基体为N型，基体正面为掺硼的发射极，发射极上沉积有第一钝化减反膜层，第一钝化减反膜层上设有正面电极，正面电极穿过第一钝化减反膜与发射极形成欧姆接触；基体背面设有磷掺杂的背场区域，磷掺杂的背场区域包括磷轻掺杂的背场区域和磷重掺杂的背场区域，磷重掺杂的背场区域和磷轻掺杂的背场区域相邻并均匀排布于背表面，磷掺杂的背场区域上沉积第二钝化减反膜层，第二钝化减反膜层上设有局部背面电极，局部背面电极在磷重掺杂背场区域内并穿过第二减反钝化膜与磷重掺杂的背场区域形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：基体正面的发射极采用BBr₃高温扩散、丝网印刷含硼浆料高温退火、常压化学气相沉积APCVD法沉积硼硅玻璃BSG退火或离子注入硼源退火工艺形成。

3.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：第一钝化减反膜采用SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，厚度为50-90nm；基体背面的第二钝化减反膜是SiNx、SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、SiOxNy薄膜中的一种或者多种，厚度为50-90nm。

4.如权利要求1所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的磷轻掺杂的背场区域采用高温扩散或常压化学气相沉积APCVD沉积磷硅玻璃PSG高温退火形成，基体背面的磷轻掺杂的背场区域方阻为90-250ohm/sq。

5.如权利要求4所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的磷重掺杂背场区域采用激光掺杂工艺形成，方阻为10-50ohm/sq。

6.如权利要求5所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：基体背面的磷重掺杂背场区域为直线或者线段，宽度为80微米-600微米，磷重掺杂背场区域占基体背面面积的比例为8%-30%。

7.如权利要求1-6任一项所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：正面电极与局部背面电极分别采用丝网印刷、电镀、化学镀、喷墨打印、物理气相沉积金属层形成，其中，金属采用Ni、Cu、Ag、Ti、Pd、Cr中一种或多种的组合。

8.如权利要求1-6任一项所述的选择性背表面场的的N型双面电池结构，其特征在于：磷重掺杂背场区域为直线时，形成局部背面电极后，连接主栅将各个局部背面电极相互连接，连接主栅不与局部背场区域形成欧姆接触。

9.如权利要求8所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：局部背面电极为直线，宽度为10-100μm，连接主栅宽度为0.5mm-1.5mm；连接主栅采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成，连接主栅为Ag或表面包覆有镀In、Sn、Pb的Cu带或者含有金属颗粒的有机物。

10.如权利要求1-6任一项所述的选择性背表面场的N型双面电池结构，其特征在于：磷重掺杂背场区域为线段，形成局部背面电极后，连接细栅将各个局部背面电极相互连接，再汇流到连接主栅线上，连接细栅与连接主栅线均不与局部背场区域形成欧姆接触。

11.如权利要求10所述的背面选择性背场的N型双面电池结构，其特征在于：局部背面电极为线段，宽度为10-100μm，连接细栅宽度为20μm-100μm，连接主栅宽度为0.5mm-1.5mm；连接细栅和连接主栅分别采用丝网印刷烧结、导电胶粘接或者金属线焊接而成，连接细栅和主栅为Ag或表面包覆有镀In、Sn、Pb的Cu线。