[发明专利]一种N型双面电池互联工艺

说明书

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种N型双面电池互联工艺。

背景技术

N型硅材料具有以下的优点：（1） N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片的高，达到毫秒级；（2）N型硅片对金属污杂的容忍度要高于P型硅片，Fe 、Cr、 Co、W、 Cu、 Ni等金属对P型硅片的影响均比N型硅片大；（3） N型硅电池组件在弱光下表现出比常规P型硅组件更优异的发电特性。但是目前的电池存在电流大、串联电阻大因而电阻损耗大，组件功率低的缺点。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种N型双面电池互联技术，N型双面电池由于电流的提升，带来了损耗的增加，采用将电池片分开并采用多主栅方式连接，可以降低电流和串联电阻，从而降低电阻损耗，提高组件的功率。

为了达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明是一种N型双面电池互联工艺，将N型双面电池均匀分割成2-5个独立的电池单元，每个电池单元的正面设置有正面细栅线，背面设置有背面细栅线。每个电池单元也可以设置若干垂直于细栅线的主栅线，当N型双面电池正背面无主栅设置时，用导电材料将上一片电池单元的正面细栅线相互连接并且与下一片电池单元背面细栅线相连接，下一片电池单元背面细栅线也通过所述导电材料相连接。当在N型双面电池的正背面设置数个垂直于细栅线的主栅线时，将上一片电池单元的正面主栅线与下一片电池单元背面主栅线相连接。

本发明的进一步改进在于：正面细栅线和背面细栅线是直线或线段。

本发明的进一步改进在于：正面细栅线和背面细栅规则排布在晶体硅太阳能电池的减反射钝化膜上，且穿透减反射钝化膜与晶体硅片形成欧姆接触。

本发明的进一步改进在于：减反射钝化膜是SiNx，SiO2,TiO2,Al2O3，SiOxNy薄膜中的一种或者叠层膜。

本发明的进一步改进在于：正面细栅线和背面细栅线的宽度为20微米-100微米，横截面积为400-5000平方微米，所占面积比例为1-10%。

本发明的进一步改进在于：导电材料为涂覆有低温金属或合金的导电金属材料或者有机、无机与金属材料的混合体。

本发明的进一步改进在于：导电材料横截面积为0.0075-0.45平方毫米，数量为4-150根。

本发明的进一步改进在于：导电材料与正面细栅线或背面细栅线均通过焊接或者粘接方式连接。

本发明的进一步改进在于：导电材料均匀分布于金属区域，并且与每一根正面细栅线或背面细栅线均相互连接，正面细栅线和背面细栅线为线段时，导电材料位于正面细栅线和背面细栅线的中心。

本发明的进一步改进在于：采用丝网印刷、激光转印、喷墨或3D打印将金属浆料按阵列图案涂敷在N型双面电池的晶体硅片的表面制备金属电极；或采用激光或化学腐蚀进行开孔，随后采用气相沉积、光诱导镀或电镀方法在开孔处制备金属电极。

本发明的有益效果是：N型双面电池由于电流的提升带来了损耗增加，采用将电池片分开并采用多主栅方式连接，可以降低电流和串联电阻，从而减少电阻功率损耗，提高组件的功率。

本发明结构简单、设计合理新颖，操作方便。

附图说明

图1 是本发明的结构示意图。

图2 是本发明实施例一的结构示意图。

图3是本发明实施例二的结构示意图。

图4 是本发明实施例三的结构示意图。

2-正面细栅线，3-背面细栅线，4-正面主栅线，5-背面主栅线，

导电材料，A-1正面导电材料，A-2背面导电材料。

具体实施方式

为了加深对本发明的理解，下面将结合附图和实施例对本发明做进一步详细描述，该实施例仅用于解释本发明，并不对本发明的保护范围构成限定。