[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710054525.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107808880B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 唐金祐次;福田昌利;本间庄一;小牟田直幸;尾山幸史 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，在具有第1凸块电极的第1半导体芯片的第1面上，使具有第2凸块电极及第1贯通电极的第2半导体芯片以所述第1凸块电极与所述第1贯通电极重叠的方式积层；
在所述第2半导体芯片上使具有第2贯通电极的第3半导体芯片以所述第2凸块电极与所述第2贯通电极重叠的方式积层，在所述第3半导体芯片上使第4半导体芯片积层，而形成芯片积层体；
将所述芯片积层体的所述第1及第2凸块电极利用回流焊机械连接于所述第1及第2贯通电极；
在具有第2面的第1衬底上以所述第1面朝向所述第2面侧的方式，经由第1树脂与第3凸块电极将所述第1衬底与所述回流焊后的芯片积层体通过以使所述第3半导体芯片与所述第1树脂接合的方式倒装安装连接，在与所述芯片积层体的积层方向交叉的方向上，所述第1树脂配置在所述第4半导体芯片与所述第3凸块电极之间；
使用与所述第1树脂不同的第2树脂将所述第2面与所述第4半导体芯片之间、及所述第1、第2及第3半导体芯片间密封。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述第1半导体芯片的所述第1面的相反面介隔第3树脂设置第2衬底。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
使所述第1半导体芯片的所述第1面的相反面粘接于胶带材料。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述回流焊是在还原气氛中进行。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
使用所述第2树脂的密封是利用传递模塑进行的。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述第1及第2凸块电极是包含Au、Ni、Cu、Sn、Bi、Zn、In及其合金的任一个的金属凸块，或包含Au、Ni、Cu、Al、Pd及其合金的任一个的电极垫。
7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在形成所述芯片积层体后，
使用拾取工具或吸附工具剥离所述胶带材料。
8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述第1、第2及第3半导体芯片间、或所述芯片积层体及所述第1衬底之间还具有粘接树脂。
9.一种半导体装置的制造方法，在第1半导体芯片的第1面上，使具有第1凸块电极及第1贯通电极的第2半导体芯片以所述第1凸块电极与所述第1面相接的方式积层；
在所述第2半导体芯片上使具有第2凸块电极及第2贯通电极的第3半导体芯片以所述第2凸块电极与所述第1贯通电极重叠的方式积层，在所述第3半导体芯片上使第4半导体芯片积层，而形成芯片积层体；
将所述芯片积层体的所述第1及第2凸块电极利用回流焊机械连接于所述第1及第2贯通电极；
在具有第2面的第1衬底上以所述第1面朝向所述第2面侧的方式，经由第1树脂与第3凸块电极将所述第1衬底与所述回流焊后的芯片积层体通过以使所述第3半导体芯片与所述第1树脂接合的方式倒装安装连接，在与所述芯片积层体的积层方向交叉的方向上，所述第1树脂配置在所述第4半导体芯片与所述第3凸块电极之间；
使用与所述第1树脂不同的第2树脂将所述第2面与所述第4半导体芯片之间、及所述第1、第2及第3半导体芯片间密封。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述第1半导体芯片的所述第1面的相反面介隔第3树脂设置第2衬底。
11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
使所述第1半导体芯片的所述第1面的相反面粘接于胶带材料。
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