[发明专利]单层多频多辐射器天线

权利要求书

1.一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，该天线包括介质基板（1）、设置在介质基板（1）上的金属地（2）、辐射槽缝（3）、上辐射贴片（4）、下辐射贴片（5）和微带馈线（6）；介质基板（1）的一面是金属地（2），介质基板（1）的另一面是上辐射贴片（4）、下辐射贴片（5）和微带馈线（6）的导带（11）；金属地（2）上有辐射槽缝（3），辐射槽缝（3）的形状是矩形，辐射槽缝（3）位于金属地（2）的中心；辐射槽缝（3）的两端短路；在辐射槽缝（3）中间部分，其槽缝的两个边缘，分别有上排金属化过孔阵列（7）和下排金属化过孔阵列（8），上排金属化过孔阵列（7）穿越介质基板（1），一头与金属地（2）相连，另一头在介质基板（1）的另一面与上辐射贴片（4）相连，下排金属化过孔阵列（8）穿越介质基板（1），一头与金属地（2）相连，另一头在介质基板（1）的另一面与下辐射贴片（5）相连；上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）的形状是矩形，两者之间有一个缝隙（9）；金属地（2）也是所述的微带馈线（6）的接地面，微带馈线（6）的导带（11）的一端是天线的端口（10），微带馈线（6）的导带（11）的另一端跨过辐射槽缝（3）并伸展一段长度至微带馈线终端（12），微带馈线终端（12）开路。

2.根据权利要求1所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的上排金属化过孔阵列（7）和下排金属化过孔阵列（8），使得辐射槽缝（3）中间部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝，辐射槽缝（3）的其余部分是高阻槽缝；辐射槽缝（3）因此具有阶跃阻抗的特性，产生一个频率较低的低频槽缝工作频带和一个频率较高的高频槽缝工作频带；改变介质基板（1）的厚度、磁导率和介电常数，可以改变高阻槽缝和低阻槽缝的特性阻抗，改变辐射槽缝（3）的高低阻抗比，进而改变天线的低频槽缝工作频带和高频槽缝工作频带。

3.根据权利要求1所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）分别构成两个单独的辐射器，上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）也可以构成一个组合辐射器，改变上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）的长度，可以改变上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）的工作波长，也改变了组合辐射器的工作波长。

4.根据权利要求1或3所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的缝隙（9），改变其宽度，可以调节上辐射贴片（4）在介质基板（1）两侧的辐射比，可以调节下辐射贴片（5）在介质基板（1）两侧的辐射比，可以调节上辐射贴片（4）和下辐射贴片（5）的组合辐射器在介质基板（1）两侧的辐射比。

5.根据权利要求2所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的上排金属化过孔阵列（7）或者下排金属化过孔阵列（8），改变相邻金属化过孔的间距，可以调节低阻槽缝的特性阻抗，改变辐射槽缝（3）的高低阻抗比，进而改变天线的低频槽缝工作频带和高频槽缝工作频带。

6.根据权利要求2所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的辐射槽缝（3），改其宽度，可以调节低阻槽缝和高阻槽缝的特性阻抗，改变辐射槽缝（3）的高低阻抗比，进而改变天线的低频槽缝工作频带和高频槽缝工作频带。

7.根据权利要求1所述的一种单层多频多辐射器天线，其特征在于，所述的微带馈线终端（12），改变其到辐射槽缝（3）的距离，可以调节天线的工作频率、工作频带的带宽。