[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含第一封装件，该第一封装件包含一基板与位于该基板上的一晶粒，该晶粒通过一第一传导凸块而电连接至该基板；第二封装件，位于该第一封装件上并且通过一第二传导凸块而电连接至该基板；以及一粘着剂，位于该晶粒与该第二封装件之间。

技术领域

本公开涉及一种半导体结构，特别关于一种封装件上覆置封装件(package onpackage，PoP)结构，其中一封装件位于另一封装件上，且粘着剂位于所述封装件之间。再者，本公开涉及一种半导体结构的制造方法，包括配置粘着剂于多个封装件之间。

背景技术

半导体元件对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体元件的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体元件的规模微小化，封装件上覆置封装件(package on package，PoP)结构目前已经广泛地应用于制造半导体元件。在制造此封装类结构的过程中，进行许多制造步骤。

封装件上覆置封装件的半导体元件的制造程序变得越来越复杂。半导体元件组装许多积体组件，包含具有不同热性质的各种材料。由于结合具有不同材料的许多组件，半导体元件的制造程序的复杂度增加。因此，必须持续改良半导体元件的制造程序并且解决上述复杂度。

上文的“现有技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构，包括第一封装件，该第一封装件包含一基板与位于该基板上的一晶粒，并且该晶粒通过一第一传导凸块而电连接至该基板；一第二封装件，位于该第一封装件上并且通过一第二传导凸块而电连接至该基板；以及一粘着剂，位于该晶粒与该第二封装件之间。

在本公开的一些实施例中，该晶粒通过该粘着剂而附接至该第二封装件。

在本公开的一些实施例中，该粘着剂具热传导性，或具有约0.01W/(m·K)至约100W/(m·K)的等效热传导性(equivalent thermal conductivity)。

在一些实施例中，该粘着剂包含铝、银、碳、或是实质大于或等于25W/(m·K)的热传导性的粒子。

在本公开的一些实施例中，该晶粒、该第一传导凸块以及该第二传导凸块位于该基板与该第二封装件之间。

在本公开的一些实施例中，该晶粒受到该第二传导凸块环绕。

在本公开的一些实施例中，该基板包含一第一表面以及与该第一表面对立的一第二表面，以及该第一传导凸块与该第二传导凸块位于该第一表面上。

在本公开的一些实施例中，该基板包含位于该第二表面上的一第三传导凸块。

在本公开的一些实施例中，该半导体结构另包括一电路板，通过该第三传导凸块而接合该基板。

在本公开的一些实施例中，该第一传导凸块受到一底胶充填材料环绕。

在本公开的一些实施例中，该晶粒包含一第三表面以及与该第三表面对立的一第四表面，该粘着剂位于该第三表面上，以及该第一传导凸块位于该第四表面上。

在本公开的一些实施例中，该晶粒受到一模制件(molding)囊封，以及该粘着剂位于该模制件上。

在本公开的一些实施例中，该第二传导凸块的高度实质大于该晶粒的厚度。