[发明专利]一种核临界事故的探测方法及探测器在审

专利信息
申请号: 201710054029.1 申请日: 2017-01-24
公开(公告)号: CN106842279A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 曲广卫;邸甲峻;张振羽;马红艳;刘辉;辛元娟;曲锐 申请(专利权)人: 陕西卫峰核电子有限公司
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710119 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 临界 事故 探测 方法 探测器
【权利要求书】:

1.一种核临界事故的探测方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1:给核临界事故探测器通电,并完成初始化;

步骤S2:由MCU控制单元经DA模数转化单元分别向高压模块发出高压控制指令和低压控制指令,分别读取第一光电倍增管的AD数值PTM1以及第二光电倍增管的AD数值PTM2;同时读取电离室的AD数值ION及温度控制单元的温度值;

步骤S3:根据步骤S2中获取的温度值,由MCU控制单元判断是否进行温度补偿;若步骤S2中获取的温度值在MCU控制单元内设定的温度阈值之内,则将步骤S2获取的第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2以及电离室的AD数值ION进行处理,将处理后的数据经RS485串口发送给探头处理板;若步骤S2中获取的温度值不在MCU控制单元内设定的温度阈值之内,则先进行温度补偿,当温度升到MCU控制单元内设定的温度阈值之内,则将步骤S2获取的第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2以及电离室的AD数值ION进行处理;

步骤S4:根据步骤S3中处理的数值,将第一光电倍增管的AD数值PTM1、第二光电倍增管的AD数值PTM2、电离室的AD数值ION进行判断,并将判断结果经RS485串口发送给探头处理板;

其判断逻辑为:

①发送PTM1探测器数据需满足

PTM2<3mGy/h和ION<1Gy/h

②显示PTM2探测器数据需满足

PTM2>4mGy/h和ION<1Gy/h

③显示ION探测器数据需满足

PTM2>1Gy/h或者ION>5Gy/h。

2.根据权利要求1中核临界事故的探测方法的探测器,其特征在于,包括MCU控制单元,该MCU控制单元通过DA单元连接高压电源,该高压电源分别连接第一光电倍增管及第二光电倍增管,所述第一光电倍增管及第二光电倍增管分别经过I/V单元以及AD单元连接MCU控制单元,所述MCU控制单元与电离室通过I/V单元以及AD单元连接,所述MCU控制单元连接温度控制单元。

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