[发明专利]一种增加中红外差频转换带宽的方法在审
申请号: | 201710052173.1 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN106707655A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 蒋建;于思瑶;张建东;王凯;肖璇;张祖兴 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35 |
代理公司: | 南京知识律师事务所32207 | 代理人: | 李湘群 |
地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 外差 转换 带宽 方法 | ||
1.一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是,该方法中使用的晶体的材料是5mol%掺氧化镁的铌酸锂晶体,该晶体具有非周期结构,可在满足准相位匹配的条件下,在群速度匹配点附近实现较大且顶部较为平坦的宽带,晶体形状呈长方体结构,使用时光束的入射方向与极化方向垂直,且沿着光束的入射方向被极化为长度相等的单元畴。
2.根据权利要求1所述的一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是,所述单元畴的极化方向可选择向上或向下。
3.根据权利要求2所述的一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是连续几个方向相同的单元畴组成一个正畴或负畴。
4.根据权利要求1所述的一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是,该晶体的最优结构由遗传算法计算得出。
5.根据权利要求1所述的一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是所述光束为平面光束。
6.根据权利要求1所述的一种增加中红外差频转换带宽的方法,其特征是,所述晶体通过室温下电场极化技术制备。
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