[发明专利]固态摄像器件和电子装置

权利要求书

1.一种固态摄像器件，其包括：

半导体基板；

光电转换层，所述光电转换层形成在所述半导体基板中；

晶体管，所述晶体管具有栅极电极，所述栅极电极的至少一部分嵌入在所述半导体基板中；以及

电荷传输层，所述电荷传输层被设置成与所述栅极电极的底部表面相邻；

其中，

所述光电转换层和所述电荷传输层在所述半导体基板的深度方向上被形成在所述栅极电极的被嵌入的至少一部分的正上方，并且

所述晶体管被构造用来经由所述栅极电极和所述电荷传输层从被形成在所述栅极电极的所述至少一部分的正上方的所述光电转换层读取信号电荷。

2.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述光电转换层是在所述半导体基板的深度方向上设置的多个光电转换层中的一个。

3.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述光电转换层具有第一导电类型，并且所述电荷传输层是连接至所述光电转换层的一部分的所述第一导电类型的杂质扩散层。

4.根据权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述光电转换层具有第一导电类型，并且所述电荷传输层是连接至所述光电转换层的一部分的所述第一导电类型的杂质扩散层。

5.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。

6.根据权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。

7.根据权利要求4所述的固态摄像器件，其中，所述电荷传输层用作信号电荷的传输路径并且用作附加光电转换层。

8.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。

9.根据权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。

10.根据权利要求4所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部。

11.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部，并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。

12.根据权利要求2所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部，并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。

13.根据权利要求4所述的固态摄像器件，其中，所述栅极电极填充所述半导体基板中的凹部，并且所述电荷传输层用作信号电荷到所述栅极电极的传输路径。

14.根据权利要求8所述的固态摄像器件，其还包括：

第二导电类型的暗电流抑制层，所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所述电荷传输层接触。

15.根据权利要求9所述的固态摄像器件，其还包括：

第二导电类型的暗电流抑制层，所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所述电荷传输层接触。

16.根据权利要求10所述的固态摄像器件，其还包括：

第二导电类型的暗电流抑制层，所述暗电流抑制层与所述凹部的底面和所述电荷传输层接触。

17.根据权利要求8所述的固态摄像器件，其中，所述电荷传输层与所述凹部的底面和所述凹部的侧面的一部分相邻。

18.根据权利要求9所述的固态摄像器件，其中，所述电荷传输层与所述凹部的底面和所述凹部的侧面的一部分相邻。