[发明专利]一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元、系统和设备

权利要求书

1.一种连续化生长二维原子晶体材料的生长单元，其特征在于，所述生长单元包括筒状保温层，设置于筒状保温层内部的，用于承载生长基底的承载面，设置于所述承载面下方的加热部件；

所述加热部件与承载面电绝缘；

所述生长基底在承载面的承载作用下，从筒状保温层的一个端面运动至另一个端面；

所述承载面为开有至少一个凹槽的托板，所述托板沿筒状保温层的轴向边为长边，所述凹槽沿长边方向从托板的一个端面开至另一个端面；

所述凹槽的截面为┗┛或O型，所述┗┛型凹槽的侧壁顶端向上延伸至与筒状保温层接触；或，

所述凹槽的截面为V型，所述V型凹槽的侧壁顶端向上延伸至与筒状保温层接触。

2.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述凹槽的截面为┗┛或O型；所述生长基底为具有宽度的二维长带。

3.如权利要求2所述的生长单元，其特征在于，所述┗┛型凹槽的底边宽比生长基底的宽度长1～2mm。

4.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述┗┛型截面的宽度可调。

5.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述凹槽的截面为V型；所述生长基底为一维的长线。

6.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述V型凹槽的底部夹角小于180°。

7.如权利要求6所述的生长单元，其特征在于，所述V型凹槽的底部夹角≤120°。

8.如权利要求7所述的生长单元，其特征在于，所述V型凹槽的底部夹角≤90°。

9.如权利要求8所述的生长单元，其特征在于，所述V型凹槽的底部夹角≤60°。

10.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述V型截面的夹角角度可调。

11.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述筒状保温层为石墨泡沫、石棉中的任意1种或至少2种的组合。

12.如权利要求1所述的生长单元，其特征在于，所述加热部件包括石墨加热、电阻加热、红外加热、微波加热中的任意1种或至少2种的组合。

13.一种连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，其特征在于，所述连续化生长二维原子晶体材料的生长系统包括至少2个如权利要求1～12之一所述的连续化生长二维原子晶体材料的生长单元；相邻的两个所述连续化生长二维原子晶体材料的生长单元的筒状保温层无缝连接；

所述连续化生长二维原子晶体材料的生长系统还包括真空调节单元，用于调节保温层内腔的真空度；

所述连续化生长二维原子晶体材料的生长系统还包括母体源输入系统，所述母体源包括碳源、氮源、磷源、硅源、硼源、氢源、卤素源中的任意1种或至少2种的组合。

14.如权利要求13所述的连续化生长二维原子晶体材料的生长系统，其特征在于，相邻的两个所述连续化生长二维原子晶体材料的生长单元的承载面的连接处设置有滚轮，用于为生长基底提供辅助动力。

15.如权利要求13所述的生长系统，其特征在于，所述真空调节单元包括真空泵，与真空泵连接的第一抽气管路和第二抽气管路，所述第一抽气管路和/或第二抽气管路具有蝶阀。

16.如权利要求13所述的生长系统，其特征在于，所述母体源输入系统包括任选地气体输入系统、液体输入系统或固体输入系统中的任意1种或至少2种的组合。