[发明专利]一种四面硅太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种四面硅太阳能电池，包括基体(1)，该基体(1)为空心四面硅，其由硅制成，形状呈上下开口的矩形体，外表面分别为吸光面；基体(1)的外表面分别设置有正银电极，基体(1)的内表面分别设置有背银电极和铝背场；

其特征在于：所述基体(1)的外表面设置有若干纵横交错的外表面电极主栅线(2)和外表面电极副栅线(3)；所述基体(1)的内表面设置有若干纵横交错的内表面电极主栅线(4)和内表面电极副栅线；外表面电极主栅线(2)与内表面电极主栅线(4)相互对应，外表面电极副栅线(3)与内表面电极副栅线相互对应。

2.如权利要求1所述四面硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：对空心四面硅采用槽式湿法制绒；

步骤二：将空心四面硅放入管式扩散炉进行磷扩散；

步骤三：将空心四面硅放入PECVD管对四个外表面氮化硅膜沉积；

步骤四：采用丝网印刷技术对空心四面硅的内表面进行背银浆料印刷和背场铝浆料印刷，以制得背银电极和铝背场；采用丝网印刷技术对空心四面硅的外表面进行正银浆料印刷，以制得正银电极；

步骤五：对空心四面硅进行烧结；

步骤六：对空心四面硅的正面边缘进行激光隔离。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述空心四面硅的长度、宽度和高度分别为2-10cm，厚度为1-5mm。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述空心四面硅为单晶四面硅或多晶四面硅；空心四面硅为单晶四面硅时，将其置入槽式KOH溶液或NAOH溶液里刻蚀，KOH或NAOH的质量百分比浓度分别为20％-50％；空心四面硅为多晶四面硅时，将其置入槽式酸溶液里刻蚀，酸溶液为HNO3和HF的混合酸，HNO3的质量百分比浓度为45％-60％，HF的质量百分比浓度为40％-55％。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤二所使用的磷源为三氯氧磷，浓度为200-1000sccm，氧气流量为100-500sccm，氮气流量为5-10slm。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤三PECVD镀膜采用的硅烷流量为100-1000sccm，氨气流量为1-5slm。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤四背银电极的数量为1-3根，正银电极的数量为1-3根，背银电极和正银电极的数量相等；铝背场距边0.5-1mm。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤五中的烧结温度为750-900摄氏度，带速为5000-8000mm/min。

9.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤六中的激光波长为1064nm，激光功率为5-50w。