[发明专利]单晶硅片制绒预清洗液的添加剂及其应用有效
| 申请号： | 201710048880.3 | 申请日： | 2017-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN106833954B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 王强;符杰;张丽娟;陈培良 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/06 | 分类号： | C11D7/06;C11D7/26;C11D7/60;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 片制绒预 清洗 添加剂 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.单晶硅片的制绒方法，其特征在于，其具体步骤包括：
1）配置添加剂：将质量百分比为1%～20%的聚乙二醇、0.1%～2.0%的丙二醇丙醚、1.0%～5.0%的水解聚马来酸酐加入到余量的水中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液的添加剂；
2）配置预清洗液：将步骤1）制成的添加剂加到碱溶液中，混合均匀配成单晶硅片制绒预清洗液；所述制绒预清洗液添加剂与碱溶液的质量比为0.2～3:100；所述碱溶液为无机碱或有机碱的水溶液；
3）预清洗：将单晶硅片浸入步骤2）制得的预清洗液中进行表面清洗，清洗温度为75～90℃，清洗时间为500～1000s；
4）制绒：对预清洗后的单晶硅片不再次漂洗，直接进行表面制绒。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，所述水为去离子水。
3.根据权利要求1所述的单晶硅片的制绒方法，其特征在于，所述碱溶液为0.5～3wt％的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
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