[发明专利]发光二极管封装结构、发光二极管封装模块及其成形方法

权利要求书

1.一种可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，其特征在于，包括至少下列步骤：

放置一覆晶式芯片于一承载基板上；

填入底胶于所述覆晶式芯片的电极间的空隙以支撑所述覆晶式芯片；

激光剥离所述覆晶式芯片的一成长基板而形成一薄型化芯片，并且外露出所述薄型化芯片的一磊晶结构；

粗化所述薄型化芯片外露的所述磊晶结构；

提供一视角调整结构于所述薄型化芯片；以及

选定一预定的视角，依据下列其中一算式调整所述视角调整结构以实现所述预定的视角，其中视角的单位为度；

算式一：视角＝117+0.05×波长转换层整体厚度；其中所述视角调整结构包括一波长转换层，所述波长转换层贴附于所述磊晶结构；其中所述波长转换层整体厚度是由波长转换层顶面至所述磊晶结构的底面的厚度；或

算式二：视角＝141.8-0.2709×反射墙的反射率％；其中视角调整结构包括一波长转换层及一反射墙，所述反射墙包覆所述磊晶结构与所述波长转换层；其中反射墙与波长转换层顶面等高；或

算式三：视角＝141.9-0.2809×反射墙的反射率％；其中视角调整结构包括一波长转换层及一反射墙，所述反射墙包覆所述磊晶结构与所述波长转换层；其中反射墙高于波长转换层的顶面。

2.如权利要求1所述的可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，其特征在于，依据算式一，所述波长转换层延伸至所述磊晶结构的两侧，完全盖住所述磊晶结构。

3.如权利要求1所述的可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，其特征在于，所述波长转换层的宽度大于或等于所述磊晶结构的宽度。

4.如权利要求1所述的可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，其特征在于，依据算式三，所述反射墙超过所述波长转换层的顶面10～50μm。

5.如权利要求1所述的可提供预定视角的发光二极管封装结构的成形方法，其特征在于，所述承载基板具有电路结构，所述覆晶式芯片的所述电极电性接触于所述承载基板的所述电路结构。

6.一种可提供预定视角的发光二极管封装结构，其特征在于，其是利用权利要求1方式所形成。

7.一种可提供预定视角的发光二极管封装模块的成形方法，其特征在于，包括至少下列步骤：

放置数个覆晶式芯片于一承载基板上；

填入底胶于每一所述覆晶式芯片的电极间的空隙以支撑所述覆晶式芯片；

激光剥离每一所述覆晶式芯片的一成长基板而形成一薄型化芯片，并且外露出每一所述薄型化芯片的一磊晶结构；

粗化每一所述薄型化芯片外露的所述磊晶结构；

提供一视角调整结构于每一所述薄型化芯片；以及

选定一预定的视角，依据下列其中一算式调整所述视角调整结构以实现所述预定的视角，其中视角的单位为度；

算式一：视角＝117+0.05×波长转换层整体厚度；其中所述视角调整结构包括一波长转换层，所述波长转换层贴附于所述磊晶结构；其中所述波长转换层整体厚度是由波长转换层顶面至所述磊晶结构的底面的厚度；或

算式二：视角＝141.8-0.2709×反射墙的反射率％；其中视角调整结构包括一波长转换层及一反射墙，所述反射墙包覆所述磊晶结构与所述波长转换层；其中反射墙与波长转换层顶面等高；或

算式三：视角＝141.9-0.2809×反射墙的反射率％；其中视角调整结构包括一波长转换层及一反射墙，所述反射墙包覆所述磊晶结构与所述波长转换层；其中反射墙高于波长转换层的顶面。