[发明专利]一种晶圆临时键合方法

说明书

本申请公开一种晶圆临时键合方法，包括：提供并清洗器件晶圆和载片；在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体；利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体；对所述键合体中的器件晶圆进行背面工艺处理；将所述载片与所述器件晶圆解键合。本发明提供的晶圆临时键合方法，利用液体的表面张力效应直接将器件晶圆和载片临时键合在一起，不需要高温处理或烘干等工艺，从而减少了晶圆临时键合的工艺步骤，同时能够避免高温处理或烘干工艺对晶圆造成的翘曲，降低了晶圆翘曲的风险。

技术领域

本发明属于半导体制作技术领域，尤其涉及一种晶圆临时键合方法。

背景技术

随着半导体新品对各种元器件集成度和功能的要求越来越高，传统的二维集成电路已经难以满足需求，因此，新的技术，三维集成电路(3DIC)应运而生，其主要原理就是通过将晶圆和晶圆(Wafer to Wafer)或芯片和晶圆(Chip to Wafer)上下层层堆叠的方式来提高芯片或各种电子元器件的集成度。在3DIC工艺中，需要对晶圆进行减薄，一是为了减少封装厚度，二是通过减薄来暴露出用于链接上下两晶圆的通孔(Via)金属塞。

但超薄器件的晶圆，由于其机械强度的降低以及翘曲度或弯曲度的增加，普通的半导体设备几乎难以完成支撑和传输动作，碎片率非常高。为了解决这种薄晶圆的支撑和传输问题，业界通常采用临时键合的工艺方法，其主要原理就是将晶圆临时键合在一直径相仿的载片上，利用该载片来实现对薄晶圆的支撑和传输，同时可以防止薄晶圆变形，在完成晶圆背面工艺后再将载片从薄晶圆上解离。

但现有技术中的晶圆临时键合工艺步骤繁琐，容易造成晶圆翘曲。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种晶圆临时键合方法，以解决现有技术中圆键合工艺步骤繁琐，容易造成晶圆翘曲的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶圆临时键合方法，包括：

提供并清洗器件晶圆和载片；

在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体；

利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体；

对所述键合体中的器件晶圆进行背面工艺处理；

将所述载片与所述器件晶圆解键合。

优选地，所述液体为去离子水。

优选地，所述去离子水的量为0.05mL-0.1mL，包括端点值。

优选地，所述在所述载片和/或所述器件晶圆上滴液体具体包括：

采用吸管吸取去离子水；

在所述载片和/或所述器件晶圆的中心位置滴所述去离子水。

优选地，所述利用所述液体的表面张力将所述载片和所述器件晶圆形成键合体具体包括：

将所述器件晶圆安放到所述载片上，并调整所述器件晶圆的位置；

采用平板镊子在所述器件晶圆的表面均匀朝向所述载片施加压力，以调节所述器件晶圆的表面平整度。

优选地，所述将所述载片与所述器件晶圆解键合具体包括：

采用气体枪对所述键合体边缘吹，使得所述载片与所述器件晶圆分离。

优选地，所述气体枪中的气体为惰性气体、氮气或惰性气体与氮气的混合气体。

优选地，所述晶圆为硅片、锗片、绝缘体上硅或GaAs晶片。

优选地，所述载片材料为玻璃、蓝宝石或硅中的任意一种。