[发明专利]一种兼容电池和外部电源供电的控制电路有效

专利信息
申请号: 201710045045.4 申请日: 2017-01-20
公开(公告)号: CN108336810B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 赵战克 申请(专利权)人: 中兴通讯股份有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 姜春咸;冯建基
地址: 518057 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 兼容 电池 外部 电源 供电 控制电路
【权利要求书】:

1.一种兼容电池和外部电源供电的控制电路,包括:

开关模块、开关控制模块、电池连接器模块和外部电源连接器模块;所述开关模块的第一端与所述电池连接器模块相连,所述开关模块的第二端与所述开关控制模块的第二端相连,所述开关模块的第三端作为供电输出端与所述外部电源连接器模块相连;

所述开关模块,用于接收到所述开关控制模块输出的第一控制信号时断开电池连接器模块到所述供电输出端之间的供电回路,接收到所述开关控制模块输出的第二控制信号时接通电池连接器模块到所述供电输出端之间的供电回路;

所述开关控制模块,用于接收到所述外部电源连接器模块输出的外部电源信号时输出第一控制信号,没有接收到所述外部电源连接器模块输出的外部电源信号时输出第二控制信号;

所述电池连接器模块,用于连接电池时输出电池电源信号给开关模块;

所述外部电源连接器模块,用于连接外部电源时输出外部电源信号给开关模块和开关控制模块;

其中,

所述开关模块包括:P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P1;所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P1的漏极作为所述开关模块的第一端,所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P1的栅极作为所述开关模块的第二端,所述P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P1的源极作为所述开关模块的第三端;

所述开关控制模块包括:第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1;所述第一电阻R1的第一端作为所述开关控制模块的第一端,所述第一电阻R1的第二端作为所述开关控制模块的第二端并且与所述第二电阻R2的第一端、第一电容C1的第一端均相连,所述第二电阻R2的第二端、所述第一电容C1的第二端均接地;

其中,所述第一电阻R1的阻值r1与第二电阻R2的阻值r2之间满足以下条件:;

是外部电源的电压,是能够使P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P1导通的栅极与源极之间的栅源电压绝对值下限。

2.如权利要求1所述的控制电路,其特征在于:

所述电池连接器模块包括两个端口,所述外部电源连接器模块包括三个端口;

所述电池连接器模块的第一端是电池正极连接端并且与所述开关模块的第一端相连,所述电池连接器模块的第二端是电池负极连接端并且接地;

所述外部电源连接器模块的第一端是外部电源正极连接端并且与所述开关模块的第三端相连,所述外部电源连接器模块的第二端是外部电源正极连接端并且与所述开关控制模块的第一端相连,所述外部电源连接器模块的第三端是外部电源负极连接端并且接地。

3.如权利要求1所述的控制电路,其特征在于:

所述开关模块包括:N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N1;所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N1的源极作为所述开关模块的第一端,所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N1的栅极作为所述开关模块的第二端,所述N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N1的漏极作为所述开关模块的第三端;

所述开关控制模块包括:升压模块U1,所述升压模块的第一端作为所述开关控制模块的第一端,所述升压模块的第二端作为所述开关控制模块的第二端,所述升压模块的第三端作为所述开关控制模块的第三端;

所述升压模块,用于在所述升压模块的第三端的电压为高电平时,禁止所述升压模块进行升压处理;在所述升压模块的第三端的电压为低电平时,使能所述升压模块进行升压处理;其中,所述升压处理是对所述升压模块的第一端的输入电压进行升压处理得到升压信号并在所述升压模块的第二端输出所述升压信号;

所述升压模块的第二端通过连接第一电阻R1接地,所述升压模块的第三端通过连接第二电阻R2接地;

其中,升压模块的升压处理满足下述条件:

其中,是升压信号的电压,是电池电源的电压,是能够使N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N1导通的栅极与源极之间的栅源电压绝对值下限。

4.如权利要求3所述的控制电路,其特征在于:

所述升压模块包括升压芯片,所述升压芯片的供电电源端与所述电池连接器模块相连。

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