[发明专利]用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路在审
| 申请号： | 201710041266.4 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106898946A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 陈少强;李鹏涛;田赟鹏;冉旭 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)31215 | 代理人： | 徐筱梅,张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 可调 脉宽式 脉冲 发生 电路 | ||
1.一种用于半导体激光器的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于该电路包括：
触发信号、雪崩晶体管脉冲产生电路及阶跃恢复二极管整形电路，雪崩晶体管脉冲产生电路接收触发信号，阶跃恢复二极管整形电路连接雪崩晶体管脉冲产生电路；其中：
所述触发信号，幅度为3～8V，频率为32KHz～1.8MHz，上升沿为1ns；
所述雪崩晶体管脉冲产生电路，包括：电容C1、雪崩晶体管Q1、电阻R1、电阻R2及电容C2，所述电容C1一端连接触发信号，另一端连接雪崩晶体管Q1的基极同时连接电阻R1的一端，电阻R1另一端接地；雪崩晶体管Q1的集电极连接电容C2的一端，同时连接电阻R2，电阻R2的另一端连接电源供电电压VCC；雪崩晶体管Q1发射极直接连接至地；电容C2的另一端连接至第一阶跃恢复二极管D1的正极，耦合输出信号至阶跃恢复二极管整形电路；
所述阶跃恢复二极管整形电路，包括：第一阶跃恢复二极管D1、第二阶跃恢复二极管D2、电阻R3、电阻R4及电容C3，所述第一阶跃恢复二极管D1正极通过电阻R3连接至第一偏置电源VB1，其负极连接至地；第二阶跃恢复二极管D2正极通过电阻R4连接至第二偏置电源VB2，其负极连接至负载电阻RL；电容C3作为耦合电容连接第一阶跃恢复二极管D1的正极与第二阶跃恢复二极管D2的正极。
2.根据权利要求1所述的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于，所述电容C2的值为10pF～50pF。
3.根据权利要求1所述的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于，所述电阻R1的值为30～50欧姆。
4.根据权利要求1所述的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于，所述供电电压VCC的值为15～25V，调节输出脉冲幅度。
5.根据权利要求1所述的可调脉宽式脉冲发生电路，其特征在于，偏置电源VB2的值为0.9～1.3V，调节输出脉冲宽度。
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