[发明专利]半导体装置以及用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一主表面；

元件分离膜，所述元件分离膜形成在所述第一主表面上方；

突起部，所述突起部是所述半导体衬底的一部分，从所述元件分离膜突出并在平面视图中的第一方向上延伸；

控制栅极电极，所述控制栅极电极沿着所述突起部的表面在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第一部分的第二主表面重叠；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述控制栅极电极和所述突起部之间；

存储器栅极电极，所述存储器栅极电极沿着所述突起部的表面在所述第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第二部分的第三主表面重叠，以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述存储器栅极电极和所述突起部之间，

其中相对于所述第一主表面，所述第三主表面比所述第二主表面低，

其中所述控制栅极电极与所述第一部分中的所述第二主表面接触，以及

其中所述第二绝缘膜从所述突起部连续地延伸并且在所述第二部分中插入所述存储器栅极电极和所述第三主表面之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第二绝缘膜是氮化硅膜，以及

其中所述第二绝缘膜的膜厚度比所述第一绝缘膜的膜厚度厚。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，在所述第一主表面上方，所述第二部分的元件分离膜的膜厚度比所述第一部分的元件分离膜的膜厚度薄。

4.一种半导体装置，包括:

半导体衬底，所述半导体衬底包括第一主表面；

元件分离膜，所述元件分离膜形成在所述第一主表面上方；

突起部，所述突起部是所述半导体衬底的一部分，从所述元件分离膜突出并在平面视图中的第一方向上延伸；

控制栅极电极，所述控制栅极电极沿着所述突起部的表面在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第一部分的第二主表面重叠；

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述控制栅极电极和所述突起部之间；

存储器栅极电极，所述存储器栅极电极沿着所述突起部的表面在所述第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第二部分的第三主表面重叠，以及

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述存储器栅极电极和所述突起部之间；

其中，从所述第三主表面到所述突起部的与所述存储器栅极电极重叠的远端端部的高度高于从所述第二主表面到所述突起部的与所述控制栅极电极重叠的远端端部的高度。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述控制栅极电极在所述第一部分中与所述第二主表面接触，以及

其中所述第二绝缘膜从所述突起部连续地延伸并且在所述第二部分中插入所述存储器栅极电极和所述第三主表面之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第二绝缘膜是氮化硅膜，以及

其中所述第二绝缘膜的膜厚度比所述第一绝缘膜的膜厚度厚。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中，在所述第一主表面上方，所述第二部分的元件分离膜的膜厚度比所述第一部分的元件分离膜的膜厚度薄。