[发明专利]一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法在审
| 申请号: | 201710038453.7 | 申请日: | 2017-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN106746730A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
| 发明(设计)人: | 唐晶;武瑞军;宋保柱;米永江 | 申请(专利权)人: | 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 |
| 主分类号: | C03C17/36 | 分类号: | C03C17/36 |
| 代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人: | 孙仿卫,陈婷婷 |
| 地址: | 215222 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 用于 增强 辐射 镀膜 玻璃 化性 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法。
背景技术
低辐射玻璃又称Low-e玻璃,现有技术中,可钢化Low-e膜采取的是玻璃“先镀膜后钢化”的工艺流程,与传统的玻璃“先钢化后镀膜”工艺流程相比,具有镀膜效率高、成本低、可异地加工等诸多优势,其具体工艺也是业界研究开发的热点。
离线Low-e玻璃采取的是大面积磁控溅射镀膜技术,氮化硅这种膜材料由于具有抗酸碱腐蚀强、耐机械划伤等优点,非常适合作为可钢化Low-e的介质层材料,可用于直接与玻璃接触的底部介质层,以及中部介质层和顶部保护层,在可钢化Low-e膜系中获得大量的应用。
氮化硅这种膜材料在Low-e玻璃应用采取的是以硅铝(Si:Al=90:10)圆柱状旋转靶为靶材,氩气和氮气作为工艺气体,中频交流反应式磁控溅射沉积的,现有的工艺控制方法是:无论氮化硅膜应用于可钢化Low-e的底部介质层、中部介质层还是顶部介质层,其氩气和氮气的流量比例是固定不变的,仅仅通过增加或者减少溅射功率来控制膜层的厚度,也就是说制备出来的氮化硅膜的化学成分比例、光学常数n/k值、致密度和内应力基本是一致的。为了追求更高的镀膜沉积率,一般都选取氩气比例高于氮气比例,这就容易造成沉积的膜层结构较致密、累积的内应力越来越大,钢化后容易出现膜层局部由于热应力过大而造成的膜层分离现象,表现为Low-e膜的耐钢化性能不佳。在实际生产过程中,经常会出现钢化后有污迹、暴露氧化时间短、钢化后膜层有氧化的现象。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术的缺点,提供一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法,所述低辐射镀膜玻璃包括玻璃基体和依次镀设在所述玻璃基体表面上的底层氮化硅层、第一复合膜层、中间氮化硅层、第二复合膜层、顶层氮化硅层,在磁控溅射所述底层氮化硅层、中间氮化硅层及所述顶层氮化硅层时,均采用硅铝质量比为90:10的硅铝靶作为靶材,并以氩气与氮气的混合气体作为反应气体,其中,在磁控溅射沉积所述底层氮化硅层时,反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar:N2=1.5:1~1.1:1;在磁控溅射沉积所述中间氮化硅层时,反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar:N2=1.5:1~1.1:1;在磁控溅射沉积所述顶层氮化硅层时,反应气体中氩气与氮气的流量比为Ar:N2=1:1~1:2。
优选地,在镀设所述底层氮化硅层与中间氮化硅层时,反应气体中氩气与氮气的流量比保持一致。
进一步地,在镀设所述底层氮化硅层与中间氮化硅层时,反应气体中氩气与氮气的流量值保持一致。
优选地,在磁控溅射沉积所述底层氮化硅层、中间氮化硅层及所述顶层氮化硅层时,所述氩气的流量为200~1500sccm。
优选地,所述第一复合膜层包括依次向外层叠设置的第一介质层、第一功能层、第一阻挡层及中间介质层,第二复合膜层包括依次向外层叠设置的第二介质层、第二功能层、第二阻挡层及顶部介质层。
进一步地,所述第一复合膜层由ZnO/Ag/NiCrOx/ZnSnOx依次向外层叠而成。
进一步地,所述第二复合膜层由ZnO/Ag/NiCrOx/AZO依次向外层叠而成。
由于上述技术方案的运用,本发明与现有技术相比具有下列优点:本发明的一种用于增强低辐射镀膜玻璃耐钢化性能的方法,其中在玻璃制备的过程中,磁控镀设沉积底层氮化硅层及中间氮化硅层时采用氩气比例多、氮气比例少的氩气-氮气混合气体作为反应气体,在磁控镀设沉积顶层氮化硅层时采用氩气比例较少、氮气比例较高的氩气-氮气混合气体作为反应气体,改善各膜层内的应力分布情况,使得获得的双银低辐射玻璃产品的膜层的耐钢化性能有了大幅提升,在经过长时间的加热后膜面仍然能够完好无损。
附图说明
附图1为本发明具体实施例的低辐射镀膜玻璃的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例来对本发明的技术方案作进一步的阐述。
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