[发明专利]用于执行边缘环表征的系统和方法

说明书

本发明涉及用于执行边缘环表征的系统和方法。衬底处理系统中的衬底支撑件包括：布置成支撑衬底的内部部分，围绕所述内部部分的边缘环，以及控制器。所述控制器执行以下操作中的至少一个：升高边缘环以选择性地使所述边缘环接合所述衬底，和降低所述内部部分以选择性地使所述边缘环接合所述衬底。所述控制器确定所述边缘环何时接合所述衬底，并且基于对所述边缘环何时接合所述衬底的所述确定来计算所述衬底处理系统的至少一个特性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月29日提交的美国临时申请No.62/314,659的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于测量衬底处理系统中的边缘环的系统和方法。

背景技术

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上，目前署名的发明人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于蚀刻衬底(例如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(RF)等离子体可以用于激活化学反应。

衬底支撑件可以包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，在周边的外部和/或与周边相邻)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体限制到衬底上方的体积，保护衬底支撑件免受等离子体等引起的侵蚀。

发明内容

在衬底处理系统中的衬底支撑件包括：布置成支撑衬底的内部部分、围绕所述内部部分的边缘环、以及控制器。所述控制器执行以下操作中的至少一个：升高所述边缘环以选择性地使所述边缘环接合所述衬底，以及降低所述内部部分以选择性地使所述边缘环接合所述衬底。所述控制器确定所述边缘环何时接合所述衬底，并且基于对所述边缘环何时接合所述衬底的所述确定来计算所述衬底处理系统的至少一个特性。

一种确定衬底处理系统的特性的方法包括将测试衬底布置在衬底支撑件的内部部分上。所述测试衬底包括从所述测试衬底的边缘向外延伸的接触指。所述方法还包括：升高围绕所述内部部分的边缘环以使所述边缘环的内径接合所述接触指和降低所述内部部分以使所述边缘环的所述内径接合所述接触指中的至少一项，确定所述边缘环的所述内径何时接合所述接触指，以及基于对所述边缘环的所述内径何时接合所述接触指的所述确定来确定所述衬底处理系统的至少一个特性。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

1.一种衬底处理系统中的衬底支撑件，所述衬底支撑件包括：

内部部分，其布置成支撑衬底；

围绕所述内部部分的边缘环；以及

控制器，其

执行操作(i)和(ii)中的至少一个：(i)升高所述边缘环以选择性地使所述边缘环接合所述衬底，(ii)降低所述内部部分以选择性地使所述边缘环接合所述衬底，

确定所述边缘环何时接合所述衬底，以及

基于对所述边缘环何时接合所述衬底的所述确定来计算所述衬底处理系统的至少一个特性。

2.根据条款1所述的衬底支撑件，其中确定所述边缘环何时接合所述衬底包括确定使所述边缘环接合所述衬底的所述边缘环被升高的量和所述内部部分被降低的量中的至少一个。

3.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述至少一个特性是所述边缘环的尺寸。

4.根据条款1所述的衬底支撑件，其中所述衬底包括从所述衬底的边缘向外延伸的至少一个接触指，并且其中所述至少一个接触指被设置成接合所述边缘环。