[发明专利]微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法

说明书

本发明公开了一种微型发光二极管的中介结构的制造方法。形成微型发光二极管于生长基板上。提供传递基板并形成牺牲层于传递基板上。接着，将微型发光二极管与传递基板。去除传递基板上的至少部分牺牲层，以使微型发光二极管与传递基板之间存在间隙。未去除的牺牲层暂时将微型发光二极管固定于传递基板上。

技术领域

本发明是有关于一种光电元件及其制造方法，且特别是有关于一种微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法与微型发光二极管单元及其制造方法与微型发光二极管装置。

背景技术

现有的微型发光二极管中介结构制造的过程中，往往需要使用精密度极高且昂贵的转置吸头，造成量产不易且制作成本过高。而且一般的微型发光二极管中介结构制造方法更需要多次的转置动作。多次转置动作耗工耗时，且不利于微型发光二极管单元的制造良率。

发明内容

本发明提供一种微型发光二极管装置、微型发光二极管单元及其制造方法以及微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法，其制程精简。

本发明提供一种微型发光二极管单元及其制造方法以及微型发光二极管单元的中介结构及其制造方法，其良率高。

本发明的微型发光二极管的中介结构的制造方法，包括下列步骤。提供半导体结构，半导体结构包括依序堆叠于生长基板内表面上的多层半导体层以及第一牺牲层，其中，多层半导体层包括第一型半导体层、与第一型半导体层极性相反的第二型半导体层。提供承载结构，承载结构包括传递基板以及覆盖传递基板内表面上的第二牺牲层。接合半导体结构的第一牺牲层与承载结构的第二牺牲层，其中，在第一牺牲层与第二牺牲层接合后，第一牺牲层位于多层半导体层与第二牺牲层之间。移除半导体结构的生长基板。分别图案化第一型半导体层与第二型半导体层，以形成多个第一型半导体图案与多个第二型半导体图案。形成彼此分离的多个绝缘图案，绝缘图案覆盖对应的第二型半导体图案。形成多个第一电极以及多个第二电极，其中，第一电极位于对应的第一型半导体图案上，第二电极位于对应的第二型半导体图案上，第二型半导体图案、对应的第一型半导体图案、对应的第一电极以及对应的第二电极构成多个微型发光二极管。移除至少部份的第一牺牲层、至少部份的第二牺牲层或至少部份前述二者的堆叠层，以使每一微型发光二极管与传递基板之间存在间隙，而微型发光二极管通过绝缘图案的多个连接部与传递基板连接。

本发明的微型发光二极管单元的中介结构包括传递基板、多个微型发光二极管及多个绝缘图案。多个微型发光二极管阵列排列于传递基板的内表面上。各微型发光二极管包括多层半导体图案、第一电极以及第二电极。多层半导体图案至少包含第一型半导体图案以及与第一型半导图案极性相反的第二型半导图案，其中，第一型半导体图案在传递基板上的垂直投影面积超出第二型半导体图案在传递基板上的垂直投影面积。第一电极位于第一型半导体图案上。第二电极位于第二型半导体图案上。多个绝缘图案覆盖对应的微型发光二极管。绝缘图案具有多个连接部。微型发光二极管通过连接部与传递基板连接。各微型发光二极管与传递基板之间存在间隙。多个绝缘图案相互分隔。

本发明的微型发光二极管单元包括多层半导体图案、绝缘图案、第一电极与第二电极。多层半导体图案至少包含第一型半导体图案以及与第一型半导图案极性相反的第二型半导体。第一型半导体图案在第二型半导体图案上的垂直投影面积超出第二型半导体图案的面积。绝缘图案覆盖第一型半导体图案以及第二型半导体图案，且绝缘图案具有多个开口。第一电极与一第二电极分别经由开口与第一型半导体图案及第二型半导体图案连接。

本发明的微型发光二极管装置包括阵列基板、黏着层以及前述至少一微型发光二极管单元。阵列基板包含接收基板以及配置于接收基板内表面上的像素阵列层。像素阵列层包含至少一个子像素。黏着层设置于子像素上，且部份覆盖位于子像素的像素阵列层。微型发光二极管单元设置于子像素的黏着层上。