[发明专利]一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法

权利要求书

1.一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，包括以下步骤：

步骤1.制备贵金属纳米颗粒胶体溶液；

步骤2.利用激光倏逝驻波聚焦沉积贵金属纳米颗粒阵列结构基底；

其中所述激光倏逝驻波的构建方法为：

构建纳米颗粒线阵列沉积时的单一方向的激光倏逝驻波场：将满足干涉条件的两束光强分别为I1、I2的激光分别于一个倒置的正四玻璃棱台相对的两侧面相向入射，使二者于倒置正四玻璃棱台上表面内侧相同位置发生全反射，形成倏逝驻波，此时两束激光全反射形成的光斑完全重合；

或者构建四方点阵列沉积的贵金属纳米颗粒激光倏逝驻波场：构建正交激光倏逝驻波场，此时四束激光在正四玻璃棱台上表面内侧相同位置发生全反射，光斑重叠处光场矢量叠加；

步骤3.贵金属纳米颗粒阵列结构基底上旋涂量子点溶液；

把步骤3中制成的贵金属纳米颗粒阵列结构基底样品烘干后固定在匀胶机底座上，将包裹了隔离层的半导体量子点溶液滴在贵金属纳米阵列上，均匀旋涂后烘干；

步骤4.封装器件；

在贵金属纳米颗粒-量子点阵列结构基底边缘涂上掺有相同直径的二氧化硅小球的紫外固化胶，盖上玻璃片，封装成器件。

2.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述步骤1制备贵金属纳米颗粒胶体溶液的方法包括：利用光化学还原法制备直径为20±5nm贵金属纳米颗粒胶体溶液，并用微乳法在贵金属纳米粒子外包裹一层厚度为5-15nm的二氧化硅壳。

3.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述步骤2包括以下步骤：

步骤2-1.构建纳米颗粒线阵列沉积时的单一方向的激光倏逝驻波场，或者构建四方点阵列沉积的贵金属纳米颗粒激光倏逝驻波场；

步骤2-2.在所述倒置正四玻璃棱台上表面的光斑处滴加步骤1中配制的金属纳米颗粒胶体溶液，且胶体溶液覆盖整个光斑区域，再用盖玻片盖压在胶体溶液上；保证所述激光持续辐照直至正四玻璃棱台上表面沉积的贵金属纳米颗粒阵列厚度为10～60nm时停止激光辐照；

步骤2-3.去掉盖玻片，将沉积样品经去离子水清洗后即得到贵金属纳米颗粒阵列结构基底。

4.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述步骤3中半导体量子点为CdSe、InP、ZnSe、CdS。

5.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述步骤3中半导体量子点包裹的隔离层为SiO₂。

6.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述正四玻璃棱台采用的玻璃材质，其折射率高于1.9、粗糙度小于0.025μm，通透性高于99.5％。

7.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述贵金属为银、金、钯。

8.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，步骤2-2所述的激光辐照持续时间为5～8mins，单路光束功率为70～80mw。

9.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述半导体量子点溶液采用的溶剂为甲苯或三氯甲烷，浓度为2-10mg/ml。

10.如权利要求1所述的一种贵金属纳米颗粒-量子点阵列发光器件制备方法，其特征在于，所述激光为TE偏振激光。