[发明专利]一种具有高储能密度固态电介质电容器及其制备方法有效
申请号: | 201710034941.0 | 申请日: | 2017-01-17 |
公开(公告)号: | CN106710878B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 姚曼文;苏振;李菲;彭勇;陈建文;姚熹 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01G4/10;H01G13/00 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 高储能 密度 固态 电介质 电容器 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:
(1)制备氧化铝/二氧化钛复合前驱胶体:
(1-1)往铝醇盐溶液中加入乙酰丙酮,搅拌混合后,再加入冰醋酸,再继续搅拌混合,冷却过滤后,得到溶胶前驱体;
(1-2)在制备好的溶胶前驱体中加入纳米二氧化钛粒子,在80℃下搅拌均匀,形成复合前驱体;
(2)采用磁控溅射或蒸发镀膜法在衬底基片上制备一层导电薄膜,作为下部电极;
(3)将氧化铝/二氧化钛复合前驱体采用旋涂法涂覆在下部电极的表面,进行此过程5~9次,每次涂覆后进行热处理,达到所需厚度后在450~520℃的温度下退火处理2~4h,制得氧化铝/二氧化钛复合电介质薄膜;
(4)采用蒸发镀膜法或磁控溅射法在氧化铝/二氧化钛复合电介质薄膜上制备一层具有阳极氧化能力的薄膜,作为上部电极,得到电容器单元;
(5)将制备好的电容器单元或将电容器单元组合,通过绝缘介质进行封装固化,再进行两端引线,制得高储能密度固态薄膜集成电路电容器。
2.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,
步骤(1-1)中所述的铝醇盐溶液为异丙醇铝溶液,将异丙醇铝研磨后,加入乙二醇乙醚,超声10~20min后,再于20~150℃下搅拌均匀制得的浓度为0.01~0.1mol/L的异丙醇铝乙二醇乙醚溶液,
步骤(1-1)中,铝醇盐溶液、乙酰丙酮和冰醋酸的添加量满足铝醇盐、乙酰丙酮和冰醋酸的添加量比为0.04mol:(0.01~0.1)mol:(1~50)mL,在铝醇盐溶液中加入乙酰丙酮,于20~150℃下搅拌均匀,然后加入冰醋酸,于20~150℃下搅拌均匀。
3.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,步骤(1-2)中,氧化铝和纳米二氧化钛粒子的摩尔比为(0.5~10):100;纳米二氧化钛粒子的粒径为5~30nm。
4.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,制备得到的电容器包括自下而上依次设置的衬底基片、下部电极、氧化铝/二氧化钛复合电介质薄膜及上部电极。
5.根据权利要求4所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的氧化铝/二氧化钛复合电介质薄膜质地均匀,厚度为200~350nm,介电常数10~14,击穿场强达570MV/m。
6.根据权利要求4所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的衬底基片为硅片。
7.根据权利要求4所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的上部电极及下部电极为具有阳极氧化能力的阀金属薄膜。
8.根据权利要求4所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的上部电极及下部电极选自Al薄膜、Ti薄膜、Zr薄膜、Cu薄膜或Ni薄膜中的一种。
9.根据权利要求4所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的上部电极及下部电极的厚度相同。
10.根据权利要求4或9任一项所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的上部电极及下部电极的厚度为150~250nm。
11.根据权利要求4或9任一项所述的一种具有高储能密度固态电介质电容器的制备方法,其特征在于,所述的下部电极涂覆在衬底基片上,所述的上部电极沉积在氧化铝/二氧化钛复合电介质薄膜上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同济大学,未经同济大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710034941.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。