[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，从下到上依次包括：

衬底；

复合在所述衬底上的透明导电薄膜；

复合在所述透明导电薄膜上的n型硫化镉层；

复合在所述n型硫化镉层上的p型碲化镉层；

复合在所述p型碲化镉层上的氧化镍薄膜；

复合在所述氧化镍薄膜上的金属背电极。

2.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底或聚酰亚胺衬底；所述透明导电薄膜为掺氟氧化锡薄膜。

3.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述金属背电极的材质选自Au、Ni、Mo和W中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述金属背电极的厚度为100～300nm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述氧化镍薄膜的厚度为5～35nm。

6.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述p型碲化镉层的厚度为4～5μm。

7.根据权利要求5所述的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，在p型碲化镉层和氧化镍薄膜之间，还包括铜薄膜。

8.一种碲化镉薄膜太阳电池的制备方法，包括以下步骤：

在复合有透明导电薄膜的衬底上依次复合n型硫化镉层和p型碲化镉层；

对复合在所述n型硫化镉层上的p型碲化镉层表面进行化学刻蚀；

在化学刻蚀后的p型碲化镉层上复合氧化镍薄膜；

在所述氧化镍薄膜上复合金属背电极，然后经退火，使金属背电极与p型碲化镉层形成欧姆接触，得到碲化镉薄膜太阳电池。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述化学刻蚀具体为：将p型碲化镉层经过CdCl₂热处理后，采用磷硝酸刻蚀液刻蚀。

10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，利用电子束蒸发法或热蒸发法，在所述氧化镍薄膜上复合金属背电极，使金属背电极的厚度为100～300nm。