[发明专利]一种刻蚀方法

说明书

本发明公开的一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤S1、在第一温度氛围中对一晶圆进行刻蚀反应，在刻蚀过程中生成副产物并覆盖于晶圆表面；步骤S2、在第二温度氛围中对晶圆表面的副产物进行挥发处理；将步骤S1和步骤S2作为一个完整的周期，进行至少两次以上的循环处理。因此很大程度上优化了晶圆的刻蚀工艺且能进行多片晶圆的工艺生产，产量较高，并保证晶圆在蚀刻过程中的副产物被完全去除，大大的提高了晶圆的良率。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其是涉及到一种刻蚀方法。

背景技术

现有技术中的集成电路制造工艺利用批量处理技术，也就是在同一衬底上形成大量复杂的多种器件，并将其相互连接以具有完整的电子功能，其中任意一工艺所产生的缺陷都有可能导致电路的制作失败。例如：一旦集成电路制造工艺中刻蚀副产物未完全去除都有可能导致电路的开路或者短路等。因此在集成电路制造工艺中，如何避免刻蚀副产物的发生以及如何进一步的进行刻蚀优化是必须关注的问题，尤其是随着集成电路的飞速发展，器件的集成度越来越高，器件的尺寸也越来越小，对晶圆进行刻蚀工艺也要求的越来越高。

SiCoNi刻蚀技术通常用于金属沉积前的预清洗，其作用是去除表面的氧化硅，降低接触电阻，该刻蚀工艺最大的特点就是SiO₂/Si的刻蚀选择比较高(大于20:1)。目前SICoNi制程也被用来进行形貌修正例如在STI(Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离)填充时，可以用来消除STI上方的残留物。

图1为传统的SiCoNi反应腔示意图。其中，晶圆(Wafer)基板(Pedestal)1一般温度保持在35℃左右，晶圆上方的喷头(showerhead)2具有加热功能，温度一般保持在180℃左右，SiCoNi蚀刻过程可以简述为6个步骤：1、刻蚀剂形成(通过等离子体的注入通道3完成)；2、低温下刻蚀(所形成的刻蚀副产物为固态，会覆盖在表面阻挡进一步蚀刻)；3、晶圆上升靠近高温Showerhead；4、副产物在高温下挥发；5、被气化的副产物被抽走；6、晶圆降回到初始低温位置(通过抽送装置4运输产品)。

该反应腔中刻蚀工艺在一定程度上优化了刻蚀工艺，但只能进行两片晶圆的工艺生产，产量较低，且无法保证SiCoNi蚀刻过程中的副产物被完全去除，导致晶圆良率较低。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种刻蚀装置与方法，通过该装置与方法可以解决反应腔中刻蚀工艺在一定程度上优化了刻蚀工艺，但只能进行两片晶圆的工艺生产，产量较低，且无法保证SiCoNi蚀刻过程中的副产物被完全去除的缺陷。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种刻蚀装置，其中，所述装置包括：

若干基座；

所述基座包括若干第一基座与若干第二基座，且所述若干第一基座与所述若干第二基座交替排列；

且在利用所述刻蚀装置进行刻蚀工艺时，所述第一基座的温度低于所述第二基座的温度。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，所述基座设置于一SiCoNi反应腔室中。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，所述第一基座与所述第二基座的数量相同。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，所述第一基座与所述第二基座均至少为2个。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，所述第一基座与所述第二基座之间的温度控制相互独立。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，利用所述刻蚀装置进行刻蚀工艺时，所述第一基座的温度为25℃～35℃。

较佳的，上述的刻蚀装置，其中，利用所述刻蚀装置进行刻蚀工艺时，所述第二基座的温度为170℃～190℃。