[发明专利]一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法

权利要求书

1.一种PERC太阳能电池的抛光刻蚀方法，包括：

步骤1、利用滚轮将已进行制绒扩散处理的硅片向前传送，利用喷淋设备向硅片的上表面滴水形成水膜；

步骤2、滚轮继续将硅片向前传送至第一HF槽，滚轮的底部浸在第一HF槽内的HF溶液中，滚轮带液转动过程中硅片的底部与滚轮上的HF溶液接触，去除所述硅片背面的PSG；

步骤3、用去离子水冲洗硅片的上下表面，对硅片进行烘干处理；

步骤4、利用硅片花篮将硅片放入到刻蚀槽中，硅片浸泡在刻蚀槽内的碱液中进行刻蚀；

步骤5、将硅片放入第一水槽中，硅片浸泡在第一水槽内的去离子水中清洗；

步骤6、将硅片放入清洗槽中，硅片浸泡在清洗槽内的清洗液中进行RCA清洗；

步骤7、将硅片放入第二水槽中，硅片浸泡在第二水槽内的去离子水中清洗；

步骤8、将硅片放入第二HF槽中，硅片浸泡在第二HF槽内的HF溶液中进行酸洗去除硅片上表面的PSG；

步骤9、将硅片放入第三水槽中，硅片浸泡在第三水槽内的去离子水中清洗；

步骤10、将硅片放入烘干槽中干燥。

2.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述步骤1中硅片顶面的水量在5mg~8mg。

3.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2中HF溶液的液位高度在滚轮直径的1/3~2/3位置处。

4.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述第一HF槽中的HF溶液质量分数在2%~8%，HF溶液的温度为室温。

5.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀槽内的碱液为KOH与添加剂的混合液，KOH浓度为2.5%~5%，添加剂浓度为0.5%~2%，碱液的温度为60℃~80℃，反应时间为1min~3min。

6.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀槽内的碱液为TMAH溶液，TMAH浓度为2.5%~10%，碱液的温度为60℃~90℃，反应时间为1min~10min。

7.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述清洗槽内的清洗液由体积比为1:10的NH₃·H₂O和H₂O₂混合溶液、体积比为1:4的HF和H₂O₂混合溶液、体积比为1:3的HCL和H₂O₂混合溶液中的一种或多种组合形成，反应时间为1min~3min。

8.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述第二HF槽中的HF溶液质量分数在2%~8%。

9.如权利要求1所述的抛光刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀槽、清洗槽及第二HF槽内的溶液均经过鼓泡均匀处理。