[发明专利]一种石斛盆栽种植方法在审

专利信息
申请号: 201710031483.5 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106818158A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 何三华;严结来 申请(专利权)人: 太湖县光华农业科技有限公司
主分类号: A01G1/00 分类号: A01G1/00;A01G31/02
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)34124 代理人: 王志兴
地址: 246400 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 石斛 盆栽 种植 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及石斛栽培技术领域,尤其涉及一种石斛盆栽种植方法。

背景技术

石斛,兰科植物之一,主要分布于亚洲热带和亚热带,澳大利亚和太平洋岛屿,我国大部分分布于西南、华南、台湾等地。石斛的主要品种有铁皮石斛、金钗石斛、密花石斛、鼓槌石斛等。可入药,对人体有驱解虚热,益精强阴等疗效。石斛是我国传统名贵的中药材,其中铁皮石斛具有滋阴养胃、润肺止咳、抗癌和延年益寿等功效,金钗石斛具有抗肿瘤、抗衰老、增强机体免疫力、抗白内障和抗菌等作用,二者均已成为世界各国防病、治病和医疗保健的极品良药,在民间享有“仙草”、“千金草”、“药界大熊猫”的美誉,在国内外均具有广阔的市场。

目前,石斛只生于野外或大棚栽培作商品出售,并没有成熟、实用作盆景的栽培技术。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种采用有机质栽培技术,栽培不用化肥、激素和农药且可作为盆景的石斛盆栽种植方法。

本发明是通过以下技术方案实现的:一种石斛盆栽种植方法,包括如下步骤:

(1)栽培容器的选择及处理

选择长、宽、高分别为20-30cm、15-20cm、15-20cm的陶瓷盆作为栽培容器,在其底部开2-3个排水孔;待排水孔开好后,在陶瓷盆的最底部平铺上一层石灰岩碎石,紧接着,于石灰岩碎石上再平铺上一层已留有2-4个空穴的栽培基质;

(2)石斛种苗预处理

用清水洗去石斛种苗根部的培养基,洗净为止,洗净后将种苗置于阴凉处,晾至其表面不带有水滴;

(3)种苗移栽

①待洗过的苗根放露天阴凉处晾至发白,把根系分开;

②将石斛种苗的根部放在空穴中固定好位置,然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质;

③再在新铺的栽培基质上铺上刨花、锯末混合物;

(4)管理

①光照:盆栽放在阴凉通风处,在晒太阳时需遮光,夏天切忌阳光直射;

②温度:生长温度维持为25℃-30℃;

③湿度:保持在60%以上;

④浇水:选择水质偏弱酸性的水作为浇灌水,夏秋时2-3天浇一次水,冬季时10-15天浇一次水;

⑤施肥:每年4-10月的生长期内,25-30天施一次肥;

⑥病虫害防治:预防为主,保证盆栽要通风良好。

优选地,所述步骤(1)中排水孔的直径为0.2-0.5cm。

优选地,所述步骤(2)中对石斛种苗根部进行清洗时,要避免损伤其根部与叶部。

优选地,所述步骤(3)中石斛的根部不能种的太深,以刚好把石斛种苗根部埋住为最佳。

优选地,所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行遮光管理时,夏秋遮光50-60%,冬春遮光20-30%。

优选地,所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行通风管理时,夏季将盆栽放在北阳台阴凉处,冬季放在南阳台温暖处。

优选地,所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时,浇灌水具体为PH值为6.0的软水。

优选地,所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行浇水管理时,浇水一定要浇透。

优选地,所述步骤(4)中对移栽后的石斛进行施肥管理时,肥料选用有机肥,采用薄肥勤施的方法,不能重肥施用。

优选地,所述栽培基质为经消毒并被打碎成颗粒状的树皮、锯末和苔藓的混合物。

本发明的优点在于:提供了一种采用有机质栽培技术,栽培不用化肥、激素和农药,且可作为盆景的石斛盆栽种植方法;其中(1)不用化肥、激素和农药,不污染环境,绿色环保;(2)栽培容器底部开有排水孔,配以底部平铺的一层石灰岩碎石,使石斛生长过程中透气排水,不易烂根;(3)瓶苗移栽时,先将根部放在空穴中固定好位置,然后在石斛苗的周围再次填充一层栽培基质,既固定了石斛,又因为空穴位置的可选择性,使其空间分布布局得以完善化。

附图说明

图1是本发明实施例1-3提供的一种石斛盆栽种植方法的流程图。

具体实施方式

下面对本发明的实施例作详细说明,本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

实施例1

一种石斛盆栽种植方法,如图1所示,包括如下步骤:

(1)栽培容器的选择及处理

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