[发明专利]半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件。

背景技术

在晶圆蚀刻工艺中，在蚀刻晶圆之后，在其中晶圆被蚀刻的腔室可以获得在腔室壁上沉积的副产品。清洗腔室的清洗工艺去除腔室壁上的副产品，并且然后晶圆蚀刻工艺继续。

然而，清洗腔室以去除副产品的工艺需要大量时间。在清洗工艺期间，腔室不能蚀刻其他晶圆。因此，清洗工艺减小腔室的效率和生产能力。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在第一蚀刻腔室中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，所述第一蚀刻腔室设置在蚀刻模块中；(b)清洗设置在所述蚀刻模块外部的第二蚀刻腔室，并且在清洗所述第二蚀刻腔室之后，在所述第二蚀刻腔室中设置另一晶圆；(c)从所述蚀刻模块去除具有所述蚀刻的晶圆的所述第一蚀刻腔室；以及(d)在所述蚀刻模块中设置具有所述另一晶圆的所述第二蚀刻腔室，以用于蚀刻所述另一晶圆。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在多个蚀刻腔室的一个中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，在蚀刻模块中蚀刻所述晶圆；(b)清洗所述蚀刻腔室的无晶圆蚀刻腔室以成为清洗的蚀刻腔室，其中，所述无晶圆蚀刻腔室设置在所述蚀刻模块外部，并且在所述清洗的蚀刻腔室中设置将被蚀刻的另一晶圆；(c)将具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室与具有所述另一晶圆的所述清洗的蚀刻腔室互换，从而在所述蚀刻模块中设置所述清洗的蚀刻腔室以用于将被蚀刻的所述另一晶圆并且在所述蚀刻模块外部设置具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室以被清洗；以及(d)去除在所述蚀刻腔室中的所述蚀刻的晶圆。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体处理器件，包括：第一蚀刻腔室；第二蚀刻腔室；以及蚀刻模块，适于可交换地包含所述第一蚀刻腔室或所述第二蚀刻腔室以用于晶圆蚀刻。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1A至图1G是根据本发明的一些实施例的执行半导体工艺的半导体处理器件的示意图。

图2是根据本发明的一些实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。

图3是根据本发明的一些其他实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

图1A至图1G是根据本发明的一些实施例的执行半导体工艺的半导体处理器件的示意图。参照图1A，半导体处理器件100包括第一蚀刻腔室110、第二蚀刻腔室120、以及蚀刻模块130。第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的每个适合于包括用于蚀刻的晶圆。在一些实施例中，蚀刻模块130包括适于包含用于晶圆蚀刻的第一蚀刻腔室110或者第二蚀刻腔室120的狭缝132。换言之，在一些实施例中，蚀刻模块130的狭槽132仅包括一个蚀刻腔室，第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120。然而，本发明不限制于此。本领域的普通技术人员可以设计蚀刻模块130的狭槽132以包括一个以上的蚀刻腔室。