[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法

权利要求书

1.一种静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个分立的鳍部相互平行，所述衬底包括第一区域、位于所述第一区域一侧且与所述第一区域相邻的第二区域以及与所述第二区域相对设置且与所述第一区域相邻的第三区域，沿垂直所述鳍部延伸方向，所述第二区域和所述第三区域位于所述第一区域的两侧，位于第一区域衬底上的鳍部为第一鳍部，位于第二区域衬底上的鳍部为第二鳍部，位于第三区域衬底上的鳍部为第三鳍部；

形成位于所述第一鳍部上的第一掺杂层，所述第一掺杂层内具有第一类型离子；

形成位于所述第二鳍部上的第二掺杂层和位于所述第三鳍部上的第三掺杂层，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层内具有第二类型离子，所述第二掺杂层与所述第一掺杂层相接触，所述第三掺杂层与所述第一掺杂层相接触；

形成位于所述第一掺杂层上的第一电极、位于所述第二掺杂层上的第二电极以及位于所述第三掺杂层上的第三电极，所述第二电极和所述第三电极中的一个用于与第一偏压电连接，另一个用于与第二偏压电连接。

2.如权利要求1所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，形成位于所述第一鳍部上的第一掺杂层的步骤包括：形成位于所述第二区域衬底和第三区域衬底上的第一掩膜，所述第一掩膜露出所述第一鳍部；以所述第一掩膜为掩膜，在所述第一鳍部上形成第一外延层；对所述第一外延层进行离子掺杂，以形成所述第一掺杂层；

形成位于所述第二鳍部上的第二掺杂层和位于所述第三鳍部上的第三掺杂层的步骤包括：形成位于所述第一掺杂层上的第二掩膜，所述第二掩膜露出所述第二鳍部和所述第三鳍部；以所述第二掩膜为掩膜，形成位于所述第二鳍部上的第二外延层和位于所述第三鳍部上的第三外延层，所述第二外延层与所述第一外延层相接触，所述第三外延层与所述第一外延层相接触；对所述第二外延层和所述第三外延层进行离子掺杂，分别形成所述第二掺杂层和所述第三掺杂层。

3.如权利要求2所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，在所述第一鳍部上形成第一外延层的步骤和形成位于所述第二鳍部上的第二外延层和位于所述第三鳍部上的第三外延层的步骤中的一个或两个步骤包括：通过外延生长工艺形成所述第一外延层、第二外延层或第三外延层。

4.如权利要求3所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，对所述第一外延层进行离子掺杂的步骤和对所述第二外延层和所述第三外延层进行离子掺杂的步骤中的一个或两个步骤包括：

在外延生长工艺过程中进行原位离子掺杂；或者，在形成外延层之后，采用离子注入的方式进行离子掺杂。

5.如权利要求2所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，在所述第一鳍部上形成第一外延层的步骤中，所述第一外延层具有与所述衬底表面相垂直的侧壁。

6.如权利要求1所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，所述第一鳍部的数量为一个或多个，所述第二鳍部的数量为一个或多个，所述第三鳍部的数量为一个或多个；

所述第一鳍部的数量为多个时，在所述第一鳍部上形成第一掺杂层的步骤包括：形成位于所述多个第一鳍部上的第一掺杂层，所述第一掺杂层横跨所述多个第一鳍部且覆盖所述第一鳍部顶部和侧壁的表面；

所述第二鳍部的数量为多个时，在所述第二鳍部上形成第二掺杂层的步骤包括：形成位于所述多个第二鳍部上的第二掺杂层，所述第二掺杂层横跨所述多个第二鳍部且覆盖所述第二鳍部顶部和侧壁的表面；

所述第三鳍部的数量为多个时，在所述第三鳍部上形成第三掺杂层的步骤包括：形成位于所述多个第三鳍部上的第三掺杂层，所述第三掺杂层横跨所述多个第三鳍部且覆盖所述第三鳍部顶部和侧壁的表面。

7.如权利要求6所述的静电放电保护结构的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，所述第一鳍部的数量为多个，所述第二鳍部的数量为多个，所述第三鳍部的数量为多个，所述多个第一鳍部相互平行，所述多个第二鳍部相互平行，所述多个第三鳍部相互平行。